[发明专利]多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置

权利要求书

1.一种多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于，

该多层保护膜的形成方法具有以下步骤：

氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅即SiCl4气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅即SiF4气体以及不含有氢原子的含氧气体来生成等离子体，从而形成上述氧化硅膜；以及

氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来生成等离子体，从而形成上述氮化硅膜，

连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤，

在上述氮化硅膜成膜步骤之前执行上述氧化硅膜成膜步骤，

在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体来维持等离子体，一边停止供给上述含氧气体，之后，开始供给上述含氮气体。

2.根据权利要求1所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。

3.根据权利要求1或2所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述不含有氢原子的含氮气体是氮气。

4.根据权利要求1或2所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述不含有氢原子的含氧气体是氧气。

5.根据权利要求1或2所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述氧化物半导体含有铟、镓及锌的氧化物。

6.根据权利要求1或2所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述多层保护膜是晶体管结构中的底涂层、栅保护膜、阻止层及钝化层中的至少1者。

7.一种多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于，

该多层保护膜的形成方法具有以下步骤：

氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅即SiCl4气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅即SiF4气体以及不含有氢原子的含氧气体来生成等离子体，从而形成上述氧化硅膜；以及

氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来生成等离子体，从而形成上述氮化硅膜，

连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤，

在上述氧化硅膜成膜步骤之前执行上述氮化硅膜成膜步骤，

在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体来维持等离子体，一边停止供给上述含氮气体，之后，开始供给上述含氧气体。

8.根据权利要求7所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。

9.根据权利要求7或8所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述不含有氢原子的含氮气体是氮气。

10.根据权利要求7或8所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述不含有氢原子的含氧气体是氧气。

11.根据权利要求7或8所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于，

上述氧化物半导体含有铟、镓及锌的氧化物。