[发明专利]一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将SiC粉末：SiC烧结助剂：无水乙醇：聚乙烯醇按质量比100:8～12:10:5混合研磨，再放入恒温干燥箱中干燥，得到SiC多孔陶瓷烧制原料；

2)将步骤1)制得的SiC多孔陶瓷烧制原料，采用挤出成型机制成多通道管状试件，再放入200℃马弗炉中预烧2h，随炉冷却，制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚；

3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚，放入管式炉中，在氮气气氛下，按6℃/min的速度升温至200℃，再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃，并保温2h，完成后随炉冷却至室温，制得SiC多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于SiC烧结助剂的制备方法是：将Al₂O₃、ZrO₂、H₃PO₄按摩尔比0.5～0.8:0.5～0.8:2～4称料，加入无水乙醇混合研磨，制得SiC烧结助剂。

3.根据权利要求1所述的低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于所述的SiC粉末的平均粒度为10～60μm，纯度大于98％；所述的Al₂O₃平均粒度30±5nm，纯度大于98％；所述的ZrO₂的平均粒度5～10μm，纯度大于98％；所述的H₃PO₄质量百分比浓度大于85％。