[发明专利]一种p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构

权利要求书

1.一种p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层与欧姆接触层、绝缘层、DBR反射层、p面窗口层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、窗口层，n电极；其中，

所述的DBR反射层是MOCVD技术制备的Al_xIn_1-xP/GaAs、Al_xIn_xP/Ga_xIn_xP、Al_xIn_xP/(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP或AlAs/Al_xGaAs交替生长层，周期数为1-50对，单周期厚度为0.1μm-1μm；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，p型掺杂的浓度为1×10¹⁸cm^-3-1×10²¹cm^-3；

所述的反射镜层与欧姆接触层厚度为0.1μm-10μm，并以开孔的形式穿透绝缘层与DBR反射层接触；开孔直径为1-50μm。

2.如权利要求1所述的p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，其特征在于所述的键合层选自Au、In、Sn、Ti、Pt、Al、Cr材料中的单一材料或多个材料的组合，使用蒸发或溅射的方式制备；厚度为0.2μm-10μm。

3.如权利要求1所述的p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，其特征在于所述的反射镜层与欧姆接触层厚度为0.1μm-5μm，开孔直径为厚度的9-10倍。

4.如权利要求1所述的p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，其特征在于所述的DBR反射层是下列之一：

a. Al_0.5In_0.5P/GaAs材料，p型掺杂的浓度为1×10¹⁸cm^-3，单周期厚度为0.1μm，周期数为2对；

b. Al_0.5In_0.5P/Ga_0.5In_0.5P材料，p型掺杂的浓度为1×10¹⁹cm^-3，单周期厚度为0.2μm，周期数为5对；

c. Al_0.5In_0.5P/Al_0.15Ga_0.35In_0.5P材料，p型掺杂的浓度为1×10¹⁹cm^-3，单周期厚度为0.3μm，周期数为10对；

d. AlAs/Al_0.4GaAs材料，p型掺杂的浓度为1×10²⁰cm^-3，单周期厚度为0.5μm，周期数为20对；

e. AlAs/Al_0.7GaAs材料，p型掺杂的浓度为1×10²¹cm^-3，单周期厚度为0.6μm，周期数为25对；

f. Al_0.5In_0.5P/Al_0.3Ga_0.2In_0.5P材料，p型掺杂的浓度为1×10²¹cm^-3，单周期厚度为1μm，周期数为50对。