[发明专利]一种即插型接口电路及调试板连接装置有效
申请号: | 201410300429.2 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104038210B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 徐照明 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔声学科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司37101 | 代理人: | 邵新华 |
地址: | 266061 山东省青岛市崂山区秦*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 即插型 接口 电路 调试 连接 装置 | ||
技术领域
本发明属于接口电路技术领域,具体地说,是涉及一种即插型接口电路。
背景技术
随着电子产品种类及更新换代速度的不断加快,各大芯片厂商也加快了芯片的研发,为研发工程师提供了多种方案选型,面对着越来越多的各型号的开发板(Demo board),焊线接线就成为工程师调试过程中最常做的事情,如图1所示,现在很多开发板都预留了2.54mm标准规格的接插设计方式,这种接插件的设计实现了开发板与接收板之间即插连接,其中,接收板用于接收开发板发送的调试结构信号,并进行输出,即插连接方式方便了开发者的调试,但是有个缺点即这个插接件不能防反,如果不小心方向插反了,可能导致调试不通甚至将开发板损坏,若拔下重新插接,需要重新再测试一遍,严重影响测试效率,若对开发板造成损坏,因为开发板的价格较高,则极大了增加了调试成本,而且一个小的疏忽插反就会造成研发过程停滞或延迟。
基于此,如何发明一种即插型接口电路,插接件插反时不影响测试,无需担心插接件插反的问题,是本发明主要解决的技术问题。
发明内容
本发明为了解决现有调试板即插型接口电路插反时无法完成测试工作或者损坏测试板的技术问题,提供了一种即插型接口电路,插反时仍然可以完成正常测试工作。
为了解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案予以实现:
一种即插型接口电路,包括至少一组用于连接两针插接件的接口电路,所述接口电路包括第一开关电路、第二开关电路、以及第三开关电路,所述第一开关电路的控制信号输入端与调试板的调试信号输出端连接,所述第二开关电路和第三开关电路的信号输入端分别连接第一开关电路的控制信号输出端后与直流电压源连接,所述第二开关电路和第三开关电路的输出端分别一一对应连接有一板间连接端子,所述第一开关电路控制所述第二开关电路和第三开关电路同步导通或者断开。
进一步的,所述的第一开关电路包括第一NPN型三极管(Q1),所述第一NPN型三极管(Q1)的基极与调试板的调试信号输出端连接,所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极为控制信号输出端,与所述直流电压源连接,所述第一NPN型三极管(Q1)的发射极连接地端。
又进一步的,所述的第二开关电路包括第二NPN型三极管(Q2),所述第二NPN型三极管(Q2)的基极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的集电极与一板间连接端子连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的发射极连接地端,和/或,
所述的第三开关电路包括第三NPN型三极管(Q3),所述第三NPN型三极管(Q3)的基极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的集电极与另外一板间连接端子连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的发射极连接地端。
或者,所述的第二开关电路包括第二NMOS管(T2),所述第二NMOS管(T2)的栅极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第二NMOS管(T2)的漏极与一板间连接端子连接,所述第二NMOS管(T2)的源极连接地端,和/或,
所述的第三开关电路包括第三NMOS管(T3),所述第三NMOS管(T3)的栅极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第三NMOS管(T3)的漏极与另外一板间连接端子连接,所述第三NMOS管(T3)的源极连接地端。
进一步的,所述的第一开关电路包括第一NMOS管(T1),所述第一NMOS管(T1)的栅极与调试板的调试信号输出端连接,所述第一NMOS管(T1)的漏极为控制信号输出端,与所述直流电压源连接,所述第一NMOS管(T1)的源极连接地端。
又进一步的,所述的第二开关电路包括第二NPN型三极管(Q2),所述第二NPN型三极管(Q2)的基极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的集电极与一板间连接端子连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的发射极连接地端,和/或,
所述的第三开关电路包括第三NPN型三极管(Q3),所述第三NPN型三极管(Q3)的基极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的集电极与另外一板间连接端子连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的发射极连接地端。
或者,所述的第二开关电路包括第二NMOS管(T2),所述第二NMOS管(T2)的栅极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第二NMOS管(T2)的漏极与一板间连接端子连接,所述第二NMOS管(T2)的源极连接地端,和/或,
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