[发明专利]MEMS加速度传感器的硅盖帽结构有效
| 申请号： | 201410300621.1 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105277733B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 广芯电子技术（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P1/00 | 分类号： | G01P1/00;G01P15/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 胡美强;杨东明 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直支撑部 盖帽 盖帽结构 键合 半封闭腔体 金属合金 垂直支撑 强度要求 垂直的 工字形 脚结构 开口端 容置 向内 延伸 | ||
1.一种MEMS加速度传感器的硅盖帽结构，其特征在于，其包括一顶部、一与所述顶部相垂直的垂直支撑部，所述顶部与所述垂直支撑部构成一用于容置MEMS加速度传感器的半封闭腔体，在所述半封闭腔体的开口端且在所述垂直支撑部的底面上设有一沿所述底面的周向向内和向外延伸的扩展接触部，所述扩展接触部与所述垂直支撑部构成一半工字形的结构。
2.如权利要求1所述的MEMS加速度传感器的硅盖帽结构，其特征在于，所述垂直支撑部的厚度为70微米，所述扩展接触部的厚度为78.5～79.0微米，并且所述垂直支撑部与所述扩展接触部关于同一中心轴轴对称。
3.如权利要求1所述的MEMS加速度传感器的硅盖帽结构，其特征在于，所述垂直支撑部的截面形状是“回”字形的。
4.如权利要求1所述的MEMS加速度传感器的硅盖帽结构，其特征在于，所述垂直支撑部的截面形状是椭圆形或圆形。
5.一种MEMS加速度传感器，其特征在于，其包括一CMOS层、一设于所述CMOS层上的硅基板、一设于所述硅基板上的金属合金板、一设于所述金属合金板上的如权利要求1～4中任一项所述的MEMS加速度传感器的硅盖帽结构。
6.如权利要求5所述的MEMS加速度传感器，其特征在于，在所述硅基板的表面上且在所述金属合金板的周围还设有一层用于防腐蚀的二氧化硅薄膜。
7.如权利要求6所述的MEMS加速度传感器，其特征在于，所述MEMS加速度传感器的硅盖帽结构上的所述扩展接触部是通过共晶键合与所述金属合金板连接的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广芯电子技术（上海）股份有限公司，未经广芯电子技术（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410300621.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
