[发明专利]低检出限离子电位分析仪在审
| 申请号： | 201410300690.2 | 申请日： | 2014-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104048998A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 成都中远千叶科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检出 离子 电位 分析 | ||
【权利要求书】：
1.低检出限离子电位分析仪，其特征在于，主要包括：
1--进样装置，2--样品预处理装置，3--样品电极装置，
4--标准电极装置，5--酸碱电极装置，6--氧化电极装置，
7--还原电极装置，8--配位电极装置，9--络合电极装置，
10--离子电位分析装置，11--电位信号转换装置，12--电位信号显示与记录装置；
其中，
酸碱电极装置（5）含有酸碱离子分析电极，该电极材料为三吡啶五苄胺二钆硼六钇的纳米复合电极材料，
还原电极装置（7）含有离子还原电极，该电极材料为五甲酯二腈三乙酰六氟铼镉的纳米复合电极材料；
配位电极装置（8）含有离子配位电极，该电极材料为三甲酸六乙酮三琥珀酰五硅锇钾纳米复合电极材料。
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