[发明专利]一种集成摆率增强电路的低功耗无片外电容LDO

权利要求书

1.一种集成摆率增强电路的低功耗无片外电容LDO，其特征在于：包括基准电压模块、误差放大器、增益提升级、功率调整管和密勒补偿电路；其中，误差放大器的同相输入端接LDO的输出端，反相输入端与基准电压模块的输出端相接，增益提升级的输入端与误差放大器的输出端相连接，增益提升级的输出端接功率调整管的栅极，功率调整管的漏极作为LDO的输出端，密勒补偿电容的一端接误差放大器的输出端，另一端与LDO的输出端相连；还包括有摆率增强电路，摆率增强电路有两个输入端，分别与基准电压模块和LDO的输出端相连，摆率增强电路的输出端与功率调整管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的集成摆率增强电路的低功耗无片外电容LDO，其特征在于：所述的摆率增强电路包括 PMOS管M₃、M₄、M₅、M₆、M₇、M₈、M₁₁、M₁₂、M₁₃、M₁₄、M₁₉、M₂₀ ；NMOS管M₁、M₂、M₉、M₁₀、M₁₅、M₁₆、M₁₇、M₁₈，偏置电流源I₀；

其中，NMOS管M₁、M₂的栅极作为所述的摆率增强电路的两个输入端，接LDO的输出和基准电压模块的输出；M₁的漏极与M₃的漏极和M₄的栅极相连，M₄的栅极接M₆的栅极和漏极，M₆的栅极与M₅的栅极相连；M₂的漏极与M₄的漏极和M₃的栅极相连，M₃的栅极接M₈的栅极和漏极，M₈的栅极接M₇的栅极，M₇的漏极接M₁₀的栅极和漏极，M₁₀的栅极与M₉的栅极相连；M₃、M₄、M₅、M₆、M₇和M₈的源极接外部的输入电源，M₉和M₁₀的源极接地；

M₁的源极与M₁₁和M₁₃的源极相连，M₁₃的栅极接M₁₄的栅极和漏极，M₁₃的漏极接M₁₈的栅极和漏极，M₁₈的栅极接M₁₇的栅极，M₁₇的漏极接M₁₉的栅极和漏极，M₁₉的栅极接M₂₀的栅极；M₂的源极与M₁₂和M₁₄的源极相连，M₁₂的栅极接M₁₁的栅极和漏极，M₁₂的漏极极接M₁₅的栅极和漏极，M₁₅的栅极接M₁₆的栅极；M₁₁和M₁₄的漏极接偏置电流源的一端，偏置电流源的另一端接地；M₁₅、M₁₆、M₁₇和M₁₈的源级接地，M₁₉、M₂₀的源极接外部输入电源；

M₅、M₉、M₁₆和M₂₀的漏极并作为所述摆率增强电路的输出端，与功率调整管的栅极相接。