[发明专利]具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制作方法

权利要求书

1.具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一种硅片作为衬底片；

在所述衬底片上制造出微元APD构成阵列；

在APD阵列外围采用表面贴装技术SMD对APD阵列、温敏二极管和淬灭电阻进行电器连接。

2.根据要求1所述的具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件，其特征在于，所述硅片为P型硅片，阵列由微元APD并联组成。

3.根据要求2所述的具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件，其特征在于，微元APD纵向层叠结构依次包括N型重掺杂阴极区，π型耗尽层形成的雪崩区，P型重掺杂层组成的场控区，外延层形成的吸收区，吸收区上设计有阳极金属电极。

4.雪崩区纵向尺寸为3μm-6μm，场控区尺寸为40μm-45μm。

5.根据要求1所述的温敏二极管控制调整微元APD的供电电源的方式对温度进行补偿。

6.根据要求1所述的淬灭电阻使雪崩结束同时迅速恢复偏压，为下一个光子的探测做好准备。