[发明专利]电阻型随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种互补单元，其包括至少第一RRAM单元和第二RRAM单元，用于以多个可编程单元状态存储信息，所述第一RRAM单元包括：

位于第一电极和第二电极之间的电绝缘基质，以使得能够在向电极施加写电压时在所述基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径，所述可编程单元状态分别与所述基质内的电传导路径的各配置相对应；以及

电传导组件，所述电传导组件在电极之间的方向上延伸并与所述电绝缘基质相接触，

其中，布置成使得在任何所述可编程单元状态中，所述电传导组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少为所述电传导路径的电阻，并且至多为所述电绝缘基质的电阻，其中所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态，

其中，所述第一RRAM单元与具有相同结构的第二RRAM单元反串联地连接，并且所述第一RRAM单元和所述第二RRAM单元的电传导组件具有不同的电阻。

2.根据权利要求1所述的互补单元，其中，在任何所述可编程单元状态中，所述电传导组件针对所述单元电流而呈现的电阻小于所述电绝缘基质的电阻。

3.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，在任何所述可编程单元状态中，所述电传导组件针对所述单元电流而呈现的电阻大于所述电传导路径的电阻。

4.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电绝缘基质的在电极之间的方向上的长度大于所述电绝缘基质的垂直于所述方向的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，布置成使得所述电传导路径占电绝缘基质的与电极之间的方向垂直的厚度的至少10％。

6.根据权利要求5所述的互补单元，其中，布置成使得所述电传导路径占电绝缘基质的与电极之间的方向垂直的厚度的大部分。

7.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电传导组件从一个电极向着另一电极延伸。

8.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电传导组件的体积大于所述电绝缘基质的体积的一半。

9.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电传导组件包括电传导材料层。

10.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电传导组件在所述电绝缘基质周围形成护套。

11.根据权利要求10所述的互补单元，其中，所述电绝缘基质在所述护套内形成细长芯体。

12.根据权利要求11所述的互补单元，其中，所述芯体包括所述电绝缘基质的纳米线。

13.根据权利要求9所述的互补单元，还包括绝缘基质层，其中所述电传导材料层设置在所述绝缘基质层的一个表面上。

14.根据权利要求1或2所述的互补单元，还包括：

所述电绝缘基质的相对层，其在电极之间的方向上延伸；

芯体构件，其在电极之间的方向上延伸并与所述相对层各自的内表面接触；以及

外部构件，其在电极之间的方向上延伸并与所述相对层各自的外表面接触，

其中，所述电传导组件包括所述芯体构件和所述外部构件至少其中之一。

15.根据权利要求14所述的互补单元，其中，所述相对层接合以在所述芯体构件周围形成环。

16.根据权利要求1或2所述的互补单元，用于以s>2个可编程单元状态来存储信息，其中，所述可编程单元状态与所述电绝缘基质中的所述电传导路径的各不同长度相对应。

17.根据权利要求1或2所述的互补单元，其中，所述电传导组件的每单位长度的电阻在电极之间的方向上变化。

18.根据权利要求17所述的互补单元，其中，所述电传导组件的形状在电极之间的方向上变化以使每单位长度的电阻变化。

19.根据权利要求18所述的互补单元，其中，所述电传导组件在所述电绝缘基质周围形成护套，所述电绝缘基质在所述护套内形成细长芯体，并且所述芯体的厚度在所述护套的厚度减小的方向上增加。

20.根据权利要求17所述的互补单元，其中，所述电传导组件的电阻率在电极之间的方向上变化以使每单位长度的电阻变化。