[发明专利]GaN基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：

衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；

所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；

所述发光外延层设置在所述衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，若所述圆形金属反射层设置在所述环形金属接触层的上表面时，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，若所述环形金属接触层设置在所述圆形金属反射层的上表面时，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述环形金属接触层的厚度为3-5纳米；所述圆形金属反射层的厚度为50-200纳米。

5.一种GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

将设置在衬底上的发光外延层进行刻蚀处理，除去所述发光外延层的第一位置上的第二半导体层和发光层，露出第一半导体层的所述第一位置；所述第一位置为用于设置第一电极的位置；

在第二半导体层的第二位置形成电流阻挡层；所述第二位置为用于设置第二电极的位置；

在所述第二半导体层和所述电流阻挡层上形成透明导电层；

将所述透明导电层进行刻蚀处理，形成第一圆孔，并在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同；

在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述环形金属接触层，并在所述环形金属接触层上形成所述圆形金属反射层；

其中，所述环形金属接触层的外径小于或等于所述圆形金属反射层的直径；所述环形金属接触层的内径小于或等于所述透明导电层的第一圆孔的直径，且所述环形金属接触层的内径大于零。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成环形金属接触层和圆形金属反射层，还包括：

在所述电流阻挡层和所述透明导电层的所述第二位置上形成所述圆形金属反射层，并在所述圆形金属反射层上形成所述环形金属接触层；

其中，所述圆形金属反射层的直径小于所述透明导电层的第一圆孔的直径。

8.根据权利要求5至7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一位置上形成第一电极，包括：

在所述第一半导体层的所述第一位置形成所述第一电极的金属接触层，并在所述第一电极的金属接触层上形成所述第一电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极的金属接触层采用的金属为铬，且所述第一电极的金属接触层的厚度为4-5纳米。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一位置上形成第一电极，并在所述环形金属接触层或者所述圆形金属反射层的所述第二位置上形成第二电极之后，所述制作方法还包括：

在除所述第一电极和第二电极的位置之外的所述透明导电层上形成绝缘保护层。