[发明专利]氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件，包括：

层叠体，其包括：包括第一凸起的第一GaN层、设于所述第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第一层、以及设于所述第一层上并且包括第二凸起的第二GaN层，所述第二凸起的底部的长度短于所述第一凸起的底部的长度；以及

功能层，其设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。

2.根据权利要求1所述的元件，其中所述层叠体还包括其上设有所述第一GaN层的Al_xGa_1-xN(0<x≤1)的AlGaN层。

3.根据权利要求1所述的元件，其中所述第二凸起的所述底部的所述长度与所述第一凸起的所述底部的所述长度之比为大于或等于0.005且小于1。

4.根据权利要求1所述的元件，其中所述层叠体还包括设于所述第二GaN层与所述功能层之间并且包含Si和Mg中的至少一种的第二层。

5.根据权利要求1所述的元件，其中

所述第一GaN层包括多个所述第一凸起，并且

多个所述第一凸起中的至少一个具有大于或等于100nm且小于或等于1200nm的高度。

6.根据权利要求2所述的元件，其中所述层叠体还包括设于所述AlGaN层与所述第一GaN层之间并且包含Si和Mg中的至少一种的第三层。

7.根据权利要求4所述的元件，其中所述层叠体还包括：

设于所述AlGaN层与所述第一GaN层之间并且包含Si和Mg中的至少一种的第三层；

设于所述第二层上并且包括第三凸起的第三GaN层，所述第三凸起的底部的长度短于或等于所述第二凸起的所述底部的所述长度；

设于所述第三GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第四层；

设于所述第四层上并且包括第四凸起的第四GaN层，所述第四凸起的底部的长度短于或等于所述第二凸起的所述底部的所述长度；以及

设于所述第四GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第五层。

8.根据权利要求6所述的元件，其中所述第三层包含浓度大于或等于7.0×10¹⁹/cm³且小于或等于4.5×10²⁰/cm³的Si。

9.根据权利要求6所述的元件，其中

所述第三层的表面包括第一区域和第二区域，

所述第一GaN层设于所述第一区域上，并且

所述第一层的一部分在所述第二区域中与所述第三层接触。

10.一种氮化物半导体元件，包括：

层叠体，其包含包括第一凸起的第一GaN层、设于所述第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第一层、以及设于所述第一层上并且包括第二凸起的第二GaN层；以及

功能层，其设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体，

所述第一凸起具有第一斜坡，所述第一斜坡相对于与从所述第一GaN层向着所述第二GaN层的层叠方向垂直的面倾斜，

所述第二凸起具有相对于与所述层叠方向垂直的所述面倾斜的第二斜坡，并且

在与所述层叠方向垂直的所述面上，每单位面积的所述第二斜坡的数目大于每单位面积的所述第一斜坡的数目。