[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成刻蚀材料层；

在刻蚀材料层上形成硬掩模，所述硬掩模包括依次形成于所述刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；

图形化所述第一硬掩模，在所述第一硬掩模中形成图案，并露出部分所述第二硬掩模；

以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模，将所述图案转移到所述第二硬掩模中；

以具有所述图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀所述刻蚀材料层；

形成第二硬掩模以及第一硬掩模的步骤包括：形成具有第一应力的第一硬掩模，以及具有第二应力的第二硬掩模；其中，所述第一应力的应力方向与第二应力的应力方向相反。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：

图形化所述第一硬掩模的步骤包括：使第一硬掩模的刻蚀速率大于第二硬掩模的刻蚀速率；

以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模的步骤包括：使第二硬掩模的刻蚀速率大于第一硬掩模的刻蚀速率。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，形成第二硬掩模以及第一硬掩模的步骤包括：

形成氮化钛材料的第一硬掩模以及氮化钽材料的第二硬掩模，或者，形成氮化钽材料的第一硬掩模以及氮化钛材料的第二硬掩模。

4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，形成第二硬掩模以及第一硬掩模的步骤包括：形成氮化钛材料的第一硬掩模，以及氮化钽材料的第二硬掩模；

图形化所述第一硬掩模的步骤包括：采用第一刻蚀气体刻蚀所述第一硬掩模，所述第一刻蚀气体中包括氯气。

5.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，使氯气在所述第一刻蚀气体中的百分比在20％～30％的范围内。

6.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，图形化部分第一硬掩模的步骤还包括：

在所述第一刻蚀气体中加入氧气，并使氧气的百分比在0.3％～0.7％的范围内。

7.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，形成第二硬掩模以及第一硬掩模的步骤包括：形成氮化钛材料的第一硬掩模，以及氮化钽材料的第二硬掩模；

以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模的步骤包括：采用第二刻蚀气体刻蚀所述第二硬掩模，并使所述第二刻蚀气体中包括氯化氢气体。

8.如权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，使所述氯化氢气体在第二刻蚀气体中的百分比在25％～35％的范围内。

9.如权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模的步骤还包括：

在所述第二刻蚀气体中加入氧气，并使氧气的百分比在0.05％～0.25％的范围内。

10.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，图形化所述第一硬掩模的步骤包括：在所述第一硬掩模上形成具有第一图案的第一光刻胶；

以所述第一光刻胶为刻蚀掩模，去除部分第一硬掩模；

去除所述第一光刻胶；

在剩余的第一硬掩模上形成具有第二图案的第二光刻胶；

以所述第二光刻胶为刻蚀掩模，去除部分剩余的第一硬掩模，以在所述第一硬掩模中形成图案。

11.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀材料层为K值小于3的层间介质层。

12.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀材料层为层间介质层，形成层间介质层的步骤之后，形成硬掩模的步骤之前，还包括：在所述层间介质层上形成介质抗反射层；

形成硬掩模的步骤包括：在所述介质抗反射层上形成第二硬掩模；

在所述第二硬掩模上形成第一硬掩模。

13.如权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于，形成介质抗反射层的步骤包括：形成无氮介质抗反射层。