[发明专利]一种稀磁半导体材料(Ca,Na)(Zn,Mn)2As2及其制备方法

权利要求书

1.一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ca_1-xNa_x)(Zn_1-yMn_y)₂As₂，其中0<x≤0.2，0<y≤0.3。

2.根据权利要求1所述的稀磁半导体材料，其中所述稀磁半导体材料的晶体结构属六方晶系。

3.根据权利要求1所述的稀磁半导体材料，其中x＝0.1，y＝0.2。

4.一种制备如权利要求1所述的稀磁半导体材料的方法，利用固相反应法，在与氧隔离的环境中烧结前躯体；

其中所述前躯体的物质选自如下物质构成的组：Ca、Na、Zn、Mn、As、CaAs、Na₃As，其中各种物质的含量满足所要制备的稀磁半导体材料中各种元素的配比，其中固相反应法所采用的烧结温度为600-1000℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烧结过程在常压或高于一个大气压的压力下进行。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述压力为1-20GPa。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述前躯体包括Ca、Na、Zn、Mn、As。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述前躯体包括Ca、ZnAs、Mn、As、Na₃As。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述前躯体包括CaAs，Na₃As、Zn、Mn、As。

10.根据权利要求4所述的方法，其中所述烧结过程在惰性气体或真空环境中进行。