[发明专利]IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车

说明书

本发明提供一种IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车，包括：驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子222与所述第二MOS推挽电路的输入端子231连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子232与IGBT的门极连接。通过本发明提供的IGBT门极驱动电路及IGBT装置，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

技术领域

本发明涉及涉及电动汽车领域，尤其是用于电动车驱动系统的IGBT，特别地涉及IGBT门极驱动电路及IGBT装置。

背景技术

在大功率电力驱动系统中，由于驱动芯片的电流输出能力有限，导致其驱动能力不足，若用驱动芯片直接驱动大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)将容易导致IGBT开关损耗增加，造成IGBT过早损坏。因此，增加电流输出能力成为解决驱动芯片驱动能力不足的有效途径，目前，大部分驱动芯片通过外接电流放大电路来提升电流输出能力，以达到安全可靠的开通和关断IGBT。

对此，现有的IGBT门极驱动电路中，一般采用三极管推挽电路作为电流放大电路。具体的，图1为依据现有技术的一种IGBT门极驱动电路的结构示意图，如图1所示，所述IGBT驱动电路中的驱动芯片11的输出端口与所述三极管推挽电路12的输入端口连接，所述三极管推挽电路12的输出端口与IGBT的门极连接。但是，对于该IGBT驱动电路，由于三极管的输出能力依赖于其前一级驱动器的输出能力，对于不同规格的IGBT需要更换不同的驱动芯片以及相应的三极管推挽电路来满足IGBT门级驱动尖峰电流的要求，因此，兼容性比较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种IGBT门极驱动电路及IGBT装置，用于解决现有的IGBT门极驱动电路兼容性较差的问题。

一方面，依据本发明的一种实施例提出了一种IGBT门极驱动电路，包括：

驱动芯片、第一MOS推挽电路和第二MOS推挽电路，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子与所述驱动芯片的输出端子连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子与所述第二MOS推挽电路的输入端子连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子与IGBT的门极连接。

本发明提供的IGBT门极驱动电路，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且两级推挽电路的电路结构比较简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第二MOS推挽电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一PMOS管和第一NMOS管，其中，所述第一电阻的一端连接至高电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子以及所述第一PMOS管的栅极连接；所述第二电阻的一端连接至低电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子以及所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的源极连接至所述高电平，所述第一PMOS管的漏极与所述第三电阻的一端连接；以及所述第一NMOS管的源极连接至所述低电平，所述第一NMOS管的漏极与所述第四电阻的一端连接，其中所述第三电阻的另一端和所述第四电阻的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输出端口。该电路的电路结构简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。