[发明专利]半导体装置

说明书

关联申请

本申请享受以日本专利申请2013-263093号(申请日：2013年12月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

例如，分立半导体元件等半导体芯片与电路基板的一个面连接，对电路基板的另一个面经由焊锡连接散热板等。然后，以使散热板的一部分露出的方式，将半导体芯片、电路基板以及散热板用树脂等密封，做成半导体装置。

在使用半导体装置时，从半导体元件产生热。该热从散热板等放出，但通过多次的加热和冷却，例如，焊锡和散热板的接合性存在整体地劣化的可能性。焊锡和散热板的接合性的劣化引起半导体装置的散热性恶化。即，焊锡和散热板的接合性的劣化具有引起半导体装置的破坏的可能性。

发明内容

本发明想要解决的问题在于，提供一种能够抑制散热性的恶化的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有：基板；半导体芯片，设置于所述基板的一个面；第1金属图案，设置于与所述一个面相对的另一个面的中央，并具有第1角部；第2金属图案，具有角度比所述第1角部小的第2角部，在所述另一个面与所述第1金属图案隔离地设置；以及热传导材料，经由焊锡与所述第1金属图案以及所述第2金属图案连接。

附图说明

图1是示出本实施方式的电路基板30的构造的鸟瞰图。

图2是从图1的A方向观察的电路基板30的俯视图。

图3是示出本实施方式的半导体装置10的剖面构造的剖面图。

图4是示出比较例的电路基板40的构造的鸟瞰图。

图5是从图4的B方向观察的电路基板40的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。在进行该说明时，在全部附图中，对共同的部分附加共同的符号。附图的尺寸比例不限于图示的比例。另外，本实施方式不限定本发明。

参照图1、图2以及图3，说明本发明的实施方式的半导体装置10的构造。图1是示出本实施方式的电路基板30的构造的鸟瞰图，图2是从图1的A方向观察的电路基板30的俯视图，图3示出表示本实施方式的半导体装置10的剖面构造的剖面图。

电路基板30具有陶瓷基板(基板)31、表面金属图案32、第1金属图案33、以及第2金属图案34。陶瓷基板31是板状，具有例如是矩形的一个面(表面)、和与表面相对的另一个面(背面)。另外，陶瓷基板31由例如氧化铝构成，但没有特别限定。在陶瓷基板31的表面，设置了表面金属图案31。表面金属图案31被分成用于连接半导体芯片11的部分、和用于连接外部连接电极14的部分。另外，在图1中，用于连接半导体芯片11的部分设置有一处，用于连接外部连接电极14的部分设置有两处，但这仅为一个例子，也可以设置多个。另外，即使未设置用于连接外部连接电极14的部分，也能够实施。

在陶瓷基板31的背面设置了第1金属图案33和第2金属图案34。此处，如图2所示，第1金属图案33设置于陶瓷基板31的背面的中央部，第2金属图案34设置于陶瓷基板31的背面的角部。另外，相间隔地设置着第1金属图案33和第2金属图案34。

半导体装置10具有半导体芯片11、安装焊锡12、接合线13、外部连接电极14、背面焊锡15、散热板(热传导材料)16、树脂17、以及电路基板30。半导体芯片11是包括例如MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的纵向功率半导体元件，在半导体芯片11的一个面，源电极露出，在另一个面，漏电极露出(未图示)。另外，在半导体芯片11的表面，与栅电极连接了的电极也露出(未图示)。半导体芯片11通过MOSFET以外的部件也能够实施，例如，也可以是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)、二极管等。

在陶瓷基板31的表面设置了的表面金属图案32上，经由安装焊锡12固定半导体芯片11。例如，在半导体芯片11的另一个面露出了的漏电极通过使用了安装焊锡12的锡焊，与表面金属图案32连接。在半导体芯片11的一个面露出了的源电极和栅电极通过接合线13，与未连接有半导体芯片11的表面金属图案32分别电连接。