[发明专利]垂直MOS功率器件及其形成方法

权利要求书

1.一种垂直MOS功率器件，其特征在于，所述垂直MOS功率器件为平面型垂直MOS功率器件，包括：

耐压层；

多个第一掺杂类型阱区，所述多个第一掺杂类型阱区位于所述耐压层的顶部；

多个第二掺杂类型源区，所述多个第二掺杂类型源区位于所述多个第一掺杂类型阱区中；

平面栅氧层，所述平面栅氧层位于所述耐压层之上，且所述平面栅氧层的两端与相邻两个所述第二掺杂类型源区分别接触；

平面栅极层，所述平面栅极层位于所述平面栅氧层之上，其中，所述平面栅极层不覆盖或者部分覆盖所述耐压层上方对应位置；

绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述平面栅氧层、所述平面栅极层以及与所述平面栅氧层接触的两个所述第二掺杂类型源区；

第一电极，所述第一电极位于所述绝缘介质层之上；以及

第二电极，所述第二电极位于所述耐压层之下。

2.根据权利要求1所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述多个第一掺杂类型阱区与所述耐压层的掺杂类型相反，所述第二掺杂类型源区与所述耐压层的掺杂类型相同，并且，所述第一电极和所述第二电极极性相反。

3.一种垂直MOS功率器件，其特征在于，所述垂直MOS功率器件为沟槽型垂直MOS功率器件，包括：

耐压层；

第一掺杂类型阱区，所述第一掺杂类型阱区位于所述耐压层的顶部；

第二掺杂类型源区，所述第二掺杂类型源区位于第一掺杂类型阱区中；

浮置阱区，所述浮置阱区位于所述耐压层的顶部且位于所述第一掺杂类型阱区附近，所述浮置阱区与所述第一掺杂类型阱区掺杂类型相同；

沟槽栅氧层，所述沟槽栅氧层位于所述耐压层的顶部，所述沟槽栅氧层的第一侧壁与所述第一掺杂类型阱区和所述第二掺杂类型源区接触，所述沟槽栅氧层的第二侧壁与所述浮置阱区接触；

沟槽栅极层，所述沟槽栅极层充满所述沟槽栅氧层内部，其中，所述沟槽栅极层与所述沟槽栅氧层不覆盖或者部分覆盖所述浮置阱区的上表面；

绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述平面栅氧层、所述平面栅极层、所述浮置阱区以及所述第二掺杂类型源区；

第一电极，所述第一电极位于所述绝缘介质层之上；以及

第二电极，所述第二电极位于所述耐压层之下。

4.根据权利要求3所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述多个第一掺杂类型阱区与所述耐压层的掺杂类型相反，所述第二掺杂类型源区与所述耐压层的掺杂类型相同，并且，所述第一电极和所述第二电极极性相反。

5.一种垂直MOS功率器件的形成方法，其特征在于，所述垂直MOS功率器件为平面型垂直MOS功率器件，包括以下步骤：

提供耐压层；

在所述耐压层之上形成平面栅氧层，所述平面栅氧层包括位于两端的第一区域和位于中间的第二区域；

在所述平面栅氧层的第一区域之上形成平面栅极层；

在所述平面栅氧层的第一区域之下的所述耐压层的顶部形成第一掺杂类型阱区和第二掺杂类型源区，其中所述第二掺杂类型源区位于第一掺杂类型阱区中，所述平面栅氧层的两端与两个所述第二掺杂类型源区分别接触；

形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述平面栅氧层、所述平面栅极层以及与所述平面栅氧层接触的两个所述第二掺杂类型源区；以及

形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极位于所述绝缘介质层之上，所述第二电极位于所述耐压层之下。

6.根据权利要求5所述的垂直MOS功率器件的形成方法，其特征在于，所述多个第一掺杂类型阱区与所述耐压层的掺杂类型相反，所述第二掺杂类型源区与所述耐压层的掺杂类型相同，并且，所述第一电极和所述第二电极极性相反。

7.根据权利要求5所述的垂直MOS功率器件的形成方法，其特征在于，通过光刻和注入工艺在所述平面栅氧层的第一区域之下的所述耐压层的顶部形成所述第一掺杂类型阱区和第二掺杂类型源区。