[发明专利]栅极驱动电路及移位寄存器有效

专利信息
申请号: 201410305305.3 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104112421A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 詹秉燏;吴佳恩;洪凯尉;刘立伟;陈勇志 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G11C19/28
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;田景宜
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 移位寄存器
【说明书】:

技术领域

发明关于一种栅极驱动电路及移位寄存器,尤指一种可抑制因晶体管的寄生电容的耦合效应(coupling effect)而产生突波的栅极驱动电路及移位寄存器。

背景技术

一般而言,显示面板包含有多个像素、栅极驱动电路以及源极驱动电路。栅极驱动电路包含多级移位寄存器,用来提供多个栅极驱动信号,以控制像素的开启与关闭。源极驱动电路则用以写入数据信号至被开启的像素。

请参考图1及图2。图1为现有技术的移位寄存器100的电路图。图2为图1的移位寄存器100的时序图。移位寄存器100为一种双向移位寄存器,其包含七个开关T1A至T1G。其中,开关T1A的第一端接收第一选择控制信号U2D,开关T1A的第二端耦接于节点QN,而开关T1A的控制端则接收栅极驱动信号GN-1。开关T1B的第一端接收第二选择控制信号D2U,开关T1B的第二端耦接于节点QN,而开关T1B的控制端则接收栅极驱动信号GN+1。其中栅极驱动信号GN-1为移位寄存器100的前一级移位寄存器的输出,而栅极驱动信号GN+1为移位寄存器100的后一级移位寄存器的输出。

开关T1C的第一端接收时脉信号CK,开关T1C的控制端耦接于节点QN,而开关T1C的第二端耦接于移位寄存器100的输出端Out以输出栅极驱动信号GN。电容C1的第一端耦接于节点QN,电容C1的第二端则耦接于输出端Out。电容C2的第一端接收时脉信号CK,电容C2的第二端则耦接于节点PN。开关T1D的第一端耦接于节点PN,开关T1D的第二端耦接于系统电压端VSS,而开关T1D的控制端则耦接于节点QN。其中系统电压端VSS用以提供栅极低电位VGL。开关T1D根据节点QN的电位控制节点PN与栅极低电位VGL的电性连接。开关T1E和T1F的第一端分别耦接于节点QN及移位寄存器100的输出端Out,而开关T1E和T1F的第二端都耦接于系统电压端VSS。此外,开关T1E和T1F的控制端耦接至节点PN,并根据节点PN的电位控制开关T1E和T1F的导通和截止。此外,开关T1G的第一端耦接至移位寄存器100的输出端Out,开关T1G的第二端耦接于系统电压端VSS,而开关T1G的控制端接收另一时脉信号XCK,且时脉信号XCK和时脉信号CK会在栅极高电位VGH及栅极低电位VGL之间切换。

以第一选择控制信号U2D为栅极高电位VGH,而第二选择控制信号D2U为栅极低电位VGL为例。于图2的时段T1期间,栅极驱动信号GN-1提升至栅极高电位VGH,开关T1A被导通而开关T1B被截止,节点QN的电位也跟着被上拉到栅极高电位VGH。此时开关T1C、T1D和T1G也因为节点QN和时脉信号XCK为栅极高电位VGH而被导通,然而因为时脉信号CK为栅极低电位VGL,因此移位寄存器100的栅极驱动信号GN和节点PN的电位都维持在栅极低电位VGL,而开关T1E和T1F则因为节点PN维持在栅极低电位VGL而被截止。

于图2的时段T2期间,栅极驱动信号GN-1下拉至栅极低电位VGL,时脉信号CK为栅极高电位VGH,而时脉信号XCK为栅极低电位VGL,此时开关T1A和开关T1B皆被截止,开关T1C仍为导通,因此移位寄存器100的栅极驱动信号GN被上拉到栅极高电位VGH,而节点QN的电位因为与开关T1C的寄生电容的耦合效应(coupling effect)而被提升至约两倍的栅极高电位VGH。此时开关T1D被导通,节点PN的电位因此维持在栅极低电位VGL,此时开关T1E和开关T1F皆被截止。

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