[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201410305392.2 | 申请日: | 2014-06-30 |
公开(公告)号: | CN104037204B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 杨学炎;林宏森 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明是有关于一种显示装置,尤其是有关于一种有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,相较于其他平面显示技术,拥有自发光、高亮度、广视角、高对比、低耗电、高速应答、操作温度范围广、发光效率高、制程简易等优异特性,使得其产品技术发展广受全世界注目。
在显示器的应用上,全彩(full color)显示逐渐成为显示器规格的必要条件,而其彩色化的品质取决于像素的解析度(resolution)与其次像素排列方式,解析度单位为dpi(dot per inch)。一般来说,每一个像素元件分别由红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色次像素(subpixel)元件所构成,以混合不同色光产生彩色效果。目前产业上应用的次像素元件排列包含直条状(stripe)、马赛克(mosaic)与三角形(delta)等排列型式。
但是,由于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器的电路设计、制程与驱动方式较为复杂,故单纯以上述排列型式进行面板的制作,次像素的布局密度会受到限制而无法提高,进而影响面板整体的解析度。
发明内容
本发明提供了一种显示装置,以解决现有技术所造成的问题。
根据本发明一实施例,其揭露了一种显示装置,包含基板以及数个次像素群。数个次像素群,设置于基板上。每一次像素群包含用以发出四第一色光的四个第一次像素、用以发出四第二色光的四个第二次像素、八个第三次像素。次像素群的第一次像素、第二次像素、第三次像素分别沿彼此相交的第一轴向及第二轴向邻接地排列,其中每一第一次像素沿第一轴向或第二轴向而邻接第一次像素的其中之一、每一第二次像素沿第一轴向或第二轴向邻接第二次像素的其中之一、每一第三次像素沿第一轴向与第二轴向的至少其中之一邻接第三次像素的其中之一。
在本发明实施例的显示装置的次像素群中,相同颜色的第一次像素、第二次像素或第三次像素会相邻,相同颜色且相邻的第一次像素、第二次像素或第三次像素可经由共同蒸镀的方式,使得二同色的第一次像素、第二次像素或第三次像素彼此相邻的间距得以缩减,基板上可利用的空间可随之增加而具有较高开口率(aperture ratio)。由于基板的开口率的增加,基板上电路可设置的空间也因而增加。另一方面,由于二同色的第一次像素、第二次像素或第三次像素彼此相邻的间距得以缩减,基板上可设置次像素群的数量也可因而增加,进而增加显示装置整体的发光面积。因此,显示装置的解析度可有效地增加,并具有较佳的影像品质。
附图说明
为让本发明的叙述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
图1绘示依照本发明第一实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图2绘示依照本发明第二实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图3绘示依照本发明第三实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图4绘示依照本发明第四实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图5绘示依照本发明第五实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图6绘示依照本发明第六实施例的显示装置的次像素群的排列示意图;
图7绘示依照本发明第七实施例的显示装置的次像素群的排列示意图。
其中,附图标记:
100、200、300、400、500、600、700:显示装置
110:基板
120:次像素群
122:第一次像素
124:第二次像素
126、126a、126b、126c:第三次像素
D1:第一轴向
D2:第二轴向
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的