[发明专利]一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410305474.7 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104112854A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨合情;田化景;申琼;王金磊;程丽娟 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;B82B3/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 sno sub 纳米 片状 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，其特征在于：将0.2～5.0mol/L SnCl4的乙二醇溶液铺展到清洗干净的硅片表面，在空气气氛中300～550℃保温5～10分钟，自然降至室温，得到大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料。
2.根据权利要求1所述的大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，其特征在于：将0.5～1.5mol/L SnCl4的乙二醇溶液铺展到清洗干净的硅片表面，在空气气氛中350～450℃保温5～10分钟，自然降至室温，得到大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料。
3.根据权利要求1所述的大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，其特征在于：将0.5mol/L SnCl4的乙二醇溶液铺展到清洗干净的硅片表面，在空气气氛中450℃保温5分钟，自然降至室温，得到大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料。
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