[发明专利]一种低热阻的晶圆级LED封装方法及其封装结构

权利要求书

1.一种低热阻的晶圆级LED封装方法，包括如下工艺流程：

取上下表面均带有绝缘层Ⅱ（13）的硅晶圆片（10），并在硅晶圆片（10）的一表面顺次通过溅射金属种子层、通过光刻工艺形成光刻胶开口图形、在光刻胶开口内电镀导电金属形成热电分离电极组件的阵列，所述热电分离电极组件包括导电电极（21）和散热体（22）；

将硅晶圆片（10）的完成热电分离电极组件的一面与圆片载体（60）通过键合胶（61）临时键合，并将硅晶圆片（10）的另一面减薄，形成减薄面；

在硅晶圆片（10）的减薄面依次通过光刻工艺、干法刻蚀工艺对硅晶圆片（10）和绝缘层Ⅱ（13）进行刻蚀，形成底部露出导电电极（21）的表面的硅通孔（11）；

在硅通孔（11）内和硅晶圆片（10）的减薄面沉积绝缘层Ⅰ（12），并于硅通孔（11）的底部通过激光开口工艺或干法刻蚀工艺开设绝缘层Ⅰ开口（121）；  

在绝缘层Ⅰ（12）的表面形成选择性不连续的金属布线反射层（3）和金属布线反射层的输入/输出端（31），并在所述金属布线反射层的输入/输出端（31）设置金属凸块（42）； 

LED芯片（4）通过金属凸块（42）倒装于对应的金属布线反射层（3），所述芯片电极（41）与金属布线反射层的输入/输出端（31）通过金属凸块（42）实现电气连通；

采用点胶的方式点树脂（5），包封LED芯片（4）和及其所属的金属布线反射层（3），并使树脂（5）的出光面呈凸面； 

通过拆键合方法去除圆片载体（60）和键合胶（61），并将上述硅晶圆片（10）贴装至划片膜（70）上，再沿划片道（701）切割成带有热电分离电极组件的晶圆级LED封装结构的单体。

2.根据权利要求1所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：所述热电分离电极组件的材质为铜。

3.根据权利要求2所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：所述热电分离电极组件的形成还包括步骤：在所述热电分离电极组件的表面化学镀镍/金或化学镀锡。

4.根据权利要求3所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：所述金属布线反射层（3）通过单次或多次的顺次溅射金属层、通过光刻工艺形成光刻胶开口图形、刻蚀金属层、去除剩余光刻胶后成形，所述金属层为银层或铝层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：所述导电电极（21）与硅通孔（11）一对一设置。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：一个所述导电电极（21）对应同侧的两个或两个以上硅通孔（11）。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的一种低热阻的晶圆级LED封装方法，其特征在于：所述金属凸块（42）的材质为铜，其两端设有锡层或锡合金层。