[发明专利]通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法

权利要求书

1.一种通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的前体的方法，所述方法包含以下步骤：

i)提供具有供给侧和排出侧的中空基管；

ii)通过电磁辐射在所述中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在所述排出侧的换向点处或所述排出侧的换向点附近在所述基管的内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，从而提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管，所述换向点处或换向点附近为在距离上靠近所述换向点的基管上的轴向位置，或者与所述换向点相同的位置，所述非玻璃化氧化硅为不玻璃化或部分玻璃化的氧化硅；以及随后；

iii)通过电磁辐射在所述中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在步骤ii)中获得的所述在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，从而获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；

iv)冷却在步骤iii)中获得的所述具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，从而获得所述初级预制品的前体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包含将步骤iv)中获得的所述初级预制品的前体进行额外步骤v)，即进行收缩处理，从而形成初级预制品。

3.根据权利要求1所述的方法，其中进一步包含步骤A)，所述步骤A)在步骤ii)之后以及步骤iii)之前进行，所述步骤A)包含蚀刻掉所述基管的所述内表面的至少一部分上的步骤ii)中沉积的所述非玻璃化氧化硅层，其中所述基管的内表面的至少一部分是所述排出侧附近的换向点上游200mm的纵向位置与所述供给侧附近的换向点下游200mm的纵向位置之间的部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中进一步包含步骤A)，所述步骤A)在步骤ii)之后以及步骤iii)之前进行，所述步骤A)包含蚀刻掉所述基管的所述内表面的至少一部分上的步骤ii)中沉积的所述非玻璃化氧化硅层，其中所述基管的内表面的至少一部分是所述排出侧附近的换向点上游200mm的纵向位置与所述供给侧附近的换向点下游200mm的纵向位置之间的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中进一步包含步骤B)，所述步骤B)在步骤ii)之后以及步骤iii)之前进行，所述步骤B)包含使所述基管的所述内表面的至少一部分上的步骤ii)中沉积的所述非玻璃化氧化硅层玻璃化，其中所述基管的内表面的至少一部分是所述排出侧附近的换向点上游200mm的纵向位置与所述供给侧附近的换向点下游200mm的纵向位置之间的部分。

6.根据权利要求2所述的方法，其中进一步包含步骤B)，所述步骤B)在步骤ii)之后以及步骤iii)之前进行，所述步骤B)包含使所述基管的所述内表面的至少一部分上的步骤ii)中沉积的所述非玻璃化氧化硅层玻璃化，其中所述基管的内表面的至少一部分是所述排出侧附近的换向点上游200mm的纵向位置与所述供给侧附近的换向点下游200mm的纵向位置之间的部分。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的方法，其中所述基管的所述内表面的所述至少一部分是排出侧附近的换向点上游100mm的纵向位置与供给侧附近的换向点下游100mm的纵向位置之间的部分。

8.根据权利要求3～6中任一项所述的方法，其中所述基管的所述内表面的所述至少一部分是排出侧附近的换向点上游50mm的纵向位置与供给侧附近的换向点下游50mm的纵向位置之间的部分。

9.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中所述第一反应条件包含高于30毫巴的压力。

10.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中所述第一反应条件包含低于1000毫巴的压力。

11.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中所述第二反应条件包含1至25毫巴的压力。