[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410306980.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104078351A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 付洋;殷冠华;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干隔离结构，隔离结构之间为有源区域，所述有源区域上依次形成有缓冲层、氮化硅层；
进行第一次刻蚀工艺，去除部分氮化硅层；
进行湿法刻蚀工艺，去除部分隔离结构；
在所述湿法工艺之后，进行第二次刻蚀工艺，去除剩余的氮化硅层，露出下方的缓冲层；
在所述隔离结构之间的缓冲层上沉积多晶硅层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述隔离结构的材质为氧化硅，所述缓冲层的材质为氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀工艺利用磷酸溶液进行，所述第二次刻蚀工艺利用磷酸溶液进行。
4.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀工艺磷酸溶液的温度范围为120-180℃，所述第二次刻蚀工艺的磷酸溶液的温度范围为120-180℃。
5.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀工艺磷酸溶液的浓度范围为90％-96％，所述第二次刻蚀工艺的磷酸溶液的浓度范围为90％-96％。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀工艺去除的氮化硅层的厚度占未被刻蚀的氮化硅层的厚度的1/6-2/3，第二次刻蚀工艺去除的氮化硅层的厚度占未被刻蚀的氮化硅层的厚度的1/3-5/6。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺利用氢氟酸进行。
8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺去除的隔离结构的厚度范围为70-130埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
