[发明专利]半导体器件有效

申请号：	201410307590.2	申请日：	2014-06-30
公开（公告）号：	CN104282681B	公开（公告）日：	2019-01-01
发明（设计）人：	安田真;江间泰示;堀充明;藤田和司	申请（专利权）人：	富士通半导体股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L21/8234
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	金鹏;张浴月
地址：	日本神奈***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件
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【说明书】：

一种半导体器件，包括：衬底；在衬底内形成的第一有源区域，并且第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域以及具有比第一宽度大的第二宽度的第二区域，并且第一有源区域沿第一方向延伸；在衬底内形成的第二有源区域，平行于第一有源区域的第二区域延伸；以及在衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开第一有源区域和第二有源区域，其中第一有源区域的第二区域或第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于第一方向的第二方向凹进的凹进部。本发明能够防止元件隔离绝缘膜内产生空隙。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

随着半导体集成电路的微型化，对半导体衬底内形成的有源区域、元件隔离绝缘膜和栅电极的微型化提出了要求。通过在半导体衬底内形成的凹槽内嵌入氧化膜而形成元件隔离绝缘膜。在半导体衬底内形成元件隔离绝缘膜，从而隔开有源区域。

[专利文献1]日本特开专利号2009-252825

[专利文献2]日本特开专利号2009-176407

发明内容

在氧化膜没有充分嵌入到半导体衬底的凹槽内的情况下，有时会在相邻于彼此形成的有源区域之间形成的元件隔离绝缘膜内产生空隙(空缺)。在元件隔离绝缘膜内产生空隙的情况下，当栅电极形成时，会有多晶硅嵌入在元件隔离绝缘膜的空隙中而因此引起相邻栅电极之间短路的情况。当在栅电极之间引起短路时，会出现半导体器件产量(yield)降低的问题。实施例的目的是防止元件隔离绝缘膜内产生空隙。

根据实施例的一方面，一种半导体器件包括：衬底；在衬底内形成的第一有源区域，第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度大的第二宽度的第二区域，并且第一有源区域沿第一方向延伸；在衬底内形成的第二有源区域，平行于第一有源区域的第二区域延伸；以及在衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开第一有源区域和第二有源区域，其中第一有源区域的第二区域或第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于第一方向的第二方向凹进的凹进部(depressed part)。

实施例的效果

根据实施例，可以防止在元件隔离绝缘膜内产生空隙。

附图说明

图1是根据示例1的半导体器件1的平面图。

图2是根据示例1的半导体器件1的截面图，并且示出沿图1的单点划线A-A’的截面。

图3是根据示例1的半导体器件1的截面图，并且示出沿图1的单点划线B-B’的截面。

图4是根据示例2的半导体器件1的平面图。

图5是示出根据实施例来制造半导体器件1的方法的截面图。

图6是示出根据实施例来制造半导体器件1的方法的截面图。

图7是示出根据实施例来制造半导体器件1的方法的截面图。

图8是示出根据实施例来制造半导体器件1的方法的截面图。

图9是示出根据实施例来制造半导体器件1的方法的截面图。