[发明专利]半导体器件的导线焊接点强化方法有效

专利信息
申请号: 201410308014.X 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104078374B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 缪小勇;石海忠;陆蓉;郇林香;张希娟 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 孟阿妮
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 导线 焊接 强化 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体器件封装技术领域,尤其涉及一种半导体器件的导线焊接点强化方法。

背景技术

在半导体功率器件封装过程中,主要使用铝线、铝带等导线将芯片和引线框架的框架内引线之间实现有效焊接,以满足功率器件工作时的大电压、大电流等高电性能要求。铝线键合后如图1、图2所示,包括:用以散热和承载芯片2的框架载片台1;用以电连结的框架内引线3;用以连结芯片2与框架内引线3的铝线4;用以将芯片2粘接在框架载片台1的装片胶6。

由于功率产品在工作时器件内部温度较高、有时外部工作环境也比较恶劣,要求铝线4跟框架内引线3之间的焊接可靠性比较高,但是在功率产品可靠性中、实际应用时还是会因为热应力、湿气、过程质量控制的波动等使铝线4跟框架内引线3之间产生剥离,导致产品的电参数、功能失效。针对此失效,业内虽然通过键合参数、钢嘴结构、材料、过程分层控制等方面改善焊接可靠性,但是有时候还会出现铝线4跟框架内引线之间的失效,后继再改善的工艺条件比较有限。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述,以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分,也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明提供一种半导体器件的导线焊接点强化方法,

在框架内引线的表面的焊接区焊接导线;

在所述框架内引线与所述导线的焊接点处跨接压固件,使所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线,并将所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线进行焊接固定。

本发明提供的上述方案,通过在导线的焊接点处设置压固件,来将导线向框架内引线的一侧压紧。采用此结构改善了框架内引线正面跟包封塑封料之间的界面结合,这种界面结合因为压固件的较好延展性偏向柔性,可以缓解和阻挡框架内引线边缘分层向导线与框架内引线的焊接点方向扩展,在分层向导线与框架内引线的焊接点延伸过程中,压固件与框架内引线的焊点首先阻挡分层的进一步向内延伸,只有压固件的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线的焊接点延伸,故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。

附图说明

参照下面结合附图对本发明实施例的说明,会更加容易地理解本发明的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本发明的原理。在附图中,相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。

图1为现有技术的结构示意图;

图2是图1的A-A剖面图;

图3为实施本发明实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化方法的加工过程示意图;

图4为实施本发明实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化方法获得的半导体器件的示意图;

图5为图4的B-B剖面图;

图6为本发明实施例提供的焊接区一导线两并排压固件的结构示意图;

图7为本发明实施例提供的焊接区一导线两交叉压固件的结构示意图;

图8为本发明实施例提供的焊接区两并排导线两并排压固件的结构示意图;

图9为本发明实施例提供的焊接区两并排导线两交叉压固件的结构示意图;

图10为本发明实施例提供的焊接区两并排导线一铝带压固件的结构示意图;

图11为本发明实施例提供的焊接区两并排导线两并排铝带压固件的结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。

如图3所示,本发明实施例提供的半导体器件的导线焊接点强化方法,在框架内引线3的表面的焊接区焊接导线4;在框架内引线3与导线4的焊接点处跨接压固件5,使压固件5的中部向框架内引线3的一侧紧压导线4,并将压固件5位于导线两侧的部分与框架内引线5进行焊接固定。

在本发明技术方案中,根据需要,压固件5可以设置一个或多个,导线4可以是一根或多根,在导线为多根时,各导线优选为并排设置。

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