[发明专利]集成电路芯片失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201410308089.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105334084B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金志明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 失效分析 封装胶 集成电路芯片 制备 固化 加热固化 抛光过程 受力变形 原始形貌 制备过程 制备条件 抛光 涂抹 保留 覆盖 | ||
1.一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：
在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；
对涂好封装胶的样品进行加热固化；
将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位；
所述在集成电路芯片样品上涂抹封装胶的步骤之前，还包括在所述需要进行失效分析的部位进行标记的步骤；所述将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位的步骤，是根据标记判断抛光所至部位。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述标记是激光标记。
3.根据权利要求2所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述在需要进行失效分析的部位进行标记的步骤，是在所述需要进行失效分析的部位的两侧各打上一个竖长条状的激光标记。
4.根据权利要求1所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述在集成电路芯片样品上涂抹封装胶的步骤，是将集成电路芯片样品置于载片上再涂抹封装胶；所述对涂好封装胶的样品进行加热固化的步骤，是连所述载片一起进行加热固化；所述将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位的步骤，是连所述载片一起抛光。
5.根据权利要求4所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述载片为硅片。
6.根据权利要求1所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述封装胶是黑胶。
7.根据权利要求1所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述对涂好封装胶的样品进行加热固化的步骤是将样品加热至125摄氏度。
8.根据权利要求1所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位的步骤之前，还包括将加热固化后的样品在室温下自然冷却的步骤。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的集成电路芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述需要进行失效分析的部位是焊盘。
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