[发明专利]一种自适应微结构防污减阻材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410308738.4 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104044694A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张金伟;蔺存国;王利 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号： | B63B5/00 | 分类号： | B63B5/00 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所 37104 | 代理人： | 黄晓敏 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 微结构 防污 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自适应微结构防污减阻材料，其特征在于所述的具有自适应微结构防污减阻材料为有机硅弹性体材料，其自适应微结构基本单元呈锯齿形，锯齿形基本单元相互间隔交错排布形成阵列状，其中锯齿形基本单元的锯齿长度为10-60微米，锯齿高度与锯齿长度的比值为0.2-0.5，锯齿基底高度与锯齿高度的比值为0.25；锯齿形基本单元的纵向间距为5-30微米，横向间距与锯齿长度的比值为1；锯齿形基本单元的凸起高度为30-90微米；所用有机硅弹性体材料包括加成型有机硅弹性体和缩合型有机硅弹性体。
2.一种如权利要求1所述自适应微结构防污减阻材料的制备方法，其特征在于具体制备工艺过程为：先采用常规的电子束刻蚀方法在单晶硅片上制备与自适应微结构相对应的光掩膜，再利用常规的深硅刻蚀方法对单晶硅片进行等离子体刻蚀，控制刻蚀深度为30-90微米，制备得到锯齿形凹陷图案的单晶硅片；然后将锯齿形凹陷图案的单晶硅片用胶带封边后倒入除气的液体硅橡胶，在室温下固化后揭下液体硅橡胶，即制备得到具有自适应微结构的防污减阻材料。
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