[发明专利]双极结型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

对所述衬底进行第一掺杂，在衬底内形成集电区；

对所述衬底进行第二掺杂，在衬底内形成基区，所述基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反，所述基区位于集电区内，且所述基区底部高于集电区底部；

在所述基区内形成环形隔离结构，所述环形隔离结构包围部分基区，且所述环形隔离结构底部高于基区底部；

刻蚀部分所述环形隔离结构形成缺口，所述缺口暴露出被环形隔离结构包围的基区部分侧壁表面；

对所述被环形隔离结构包围的基区顶部表面以及暴露出的侧壁表面进行第三掺杂，形成发射区，所述发射区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反。

2.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述缺口的深度为环形隔离结构厚度的1/4至3/4。

3.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀部分所述环形隔离结构的工艺步骤包括：在所述衬底表面形成具有环形开口的掩膜层，所述环形开口暴露出环形隔离结构部分表面，且所述环形开口内侧壁与环形隔离结构内侧壁齐平；以所述具有环形开口的掩膜层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的环形隔离结构形成缺口，所述缺口暴露出被环形隔离结构包围的基区部分侧壁表面。

4.如权利要求3所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述环形开口的尺寸小于环形隔离结构表面尺寸。

5.如权利要求3所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺刻蚀所述环形隔离结构。

6.如权利要求5所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

7.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述环形为圆环形、椭圆环形或多边形环形。

8.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三掺杂的工艺为离子注入，离子注入工艺的注入角度为0度至45度，注入角度为离子注入的注入离子与衬底表面法线的方向的夹角。

9.如权利要求8所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入的注入离子为P型离子，所述离子注入工艺的工艺参数为：注入离子为B、Ga或In，注入角度为0度至45度，注入能量为10kev至50kev，注入剂量为1E14atom/cm²至5E18atom/cm²。

10.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，形成的双极结型晶体管为NPN晶体管时，集电区的掺杂类型为N型掺杂，基区的掺杂类型为P型掺杂，发射区的掺杂类型为N型掺杂；形成的双极结型晶体管为PNP晶体管时，集电区的掺杂类型为P型掺杂，基区的掺杂类型为N型掺杂，发射区的掺杂类型为P型掺杂。

11.如权利要求1所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述衬底内形成第一隔离结构，所述第一隔离结构环绕所述基区，且所述第一隔离结构底部高于基区底部；在所述衬底内形成第二隔离结构，所述第二隔离结构环绕所述集电区，且所述第二隔离结构底部高于集电区底部。

12.如权利要求11所述双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，还包括步骤：对位于第一隔离结构和第二隔离结构之间的集电区进行第四掺杂处理，形成集电极，所述集电极与集电区的掺杂类型相同，且集电极的掺杂浓度大于集电区的掺杂浓度；对位于第一隔离结构和环形隔离结构之间的基区进行第五掺杂处理，形成基极，所述基极与基区的掺杂类型相同，且基极的掺杂浓度大于基区的掺杂浓度。