[发明专利]晶圆的处理方法

说明书

一种晶圆的处理方法，包括：提供覆盖基底和待处理基底，待处理基底的第一表面具有若干器件区、以及位于器件区之间的切割道区；将覆盖基底的第一表面与待处理基底的第一表面键合，待处理基底和覆盖基底的边缘重合，待处理基底的切割道区与覆盖基底的第一表面形成空腔；对待处理基底进行修边工艺，使待处理基底的半径小于覆盖基底的半径；对覆盖基底的第二表面进行减薄；之后，对覆盖基底的第二表面进行清洗；之后，刻蚀部分覆盖基底，直至暴露出待处理基底第一表面的切割道区。待处理晶圆受到的损伤较少，对待处理晶圆进行检测的结果更准确。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆的处理方法。

背景技术

在半导体制程中，需要将表面已形成有半导体器件的晶圆(Wafer)切割为多个芯片，之后再对各个芯片进行封装，以形成所需的集成电路或芯片器件。以晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Size Packaging，WLCSP)技术为例，对晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸能够达到高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增加而显著降低。

随着半导体制造技术的不断发展，半导体器件的制造方法以及半导体器件的结构也日益复杂，因此，仅在晶圆的一侧表面进行半导体工艺制程已不能满足持续发展的技术需求。例如，MEMS压力传感器的制造工艺、背照式(BSI，Backside Illuminated)图像传感器的制造工艺、硅通孔(TSV，Through Silicon Via)结构的制造工艺、或者晶圆的封装工艺均需要在晶圆的一侧表面形成半导体器件结构之后，在晶圆的另一侧表面进行后段工艺制程，并且在完成后段制程之后，再对晶圆进行单片切割。

为了避免在对晶圆的另一侧表面进行后段工艺制程时，造成晶圆一侧表面已形成的器件结构造成损伤，现有技术会在已形成器件结构的晶圆表面键合承载基底，所述承载基底能够在后段工艺制程、以及后续对所述晶圆进行修边、减薄和单片切割的过程中，保护所述晶圆表面的器件结构。

由于所述键合工艺包括压合以及热处理制程，因此所述键合工艺会对晶圆表面的器件结构性能造成影响。为了测试所述键合工艺对器件结构性能的影响，现有技术会在测试晶圆表面形成器件结构、并在器件结构上键合承载基底之后，刻蚀所述承载基底至暴露出晶圆表面的测试键，通过所述测试键能够对器件结构进行电性检测，以此判断键合工艺对晶圆表面的器件结构的性能影响。

然而，在现有技术中，于键合工艺之后再对测试晶圆进行检测，其测试结果不准确，容易对工艺制程的改进造成妨碍。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆处理方法，使得待处理晶圆受到的损伤较少，对待处理晶圆进行检测的结果更准确。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆处理方法，包括：提供覆盖基底，所述覆盖基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有若干器件区、以及位于器件区之间的切割道区；将所述覆盖基底的第一表面与所述待处理基底的第一表面键合，所述待处理基底和覆盖基底的边缘重合，所述待处理基底的切割道区与所述覆盖基底的第一表面形成空腔；对所述待处理基底进行修边工艺，使所述待处理基底的半径小于覆盖基底的半径；对所述覆盖基底的第二表面进行减薄；在对所述覆盖基底的第二表面进行减薄之后，对所述覆盖基底的第二表面进行清洗；在对所述覆盖基底的第二表面进行清洗之后，刻蚀部分所述覆盖基底，直至暴露出待处理基底第一表面的切割道区。

可选的，所述待处理基底第一表面的器件区具有器件层，相邻器件层之间具有切割沟槽，所述切割沟槽位于切割道区内，所述器件层与所述覆盖基底的第一表面相键合，且所述切割沟槽与覆盖基底的第一表面形成空腔。