[发明专利]一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备有效
申请号: | 201410309144.5 | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN105448788B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 张文 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687;H01J37/32;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 晶片 传输 方法 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室,包括承载装置和托片机构,所述承载装置上设有多个用于承载晶片的承载位,其特征在于,所述托片机构设于所述承载装置的上方,其用于在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片,所述托片机构包括驱动装置和爪手,所述爪手下端设有可在水平方向伸缩的伸缩部,用以支撑晶片。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述爪手的数量为多个,每个爪手下端设有一个伸缩部;或者
所述爪手的数量为一个,所述爪手下端设有多个伸缩部。
3.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述驱动装置为气缸或电机。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室内有多个工艺腔室,用于同时对晶片进行工艺处理。
5.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室用于对晶片进行溅射沉积工艺,其内每个工艺腔室中设有一个靶材。
6.根据权利要求4或5所述的反应腔室,其特征在于,所述托片机构设于相邻的两个工艺腔室之间。
7.一种晶片传输方法,用于在权利要求1-6任意一项所述的反应腔室内在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片,其特征在于,所述晶片传输方法包括下述步骤:
S10,机械手进入反应腔室内,将放置于其上的晶片转移至托片机构上;同时,承载装置旋转,使承载位到达托片机构竖直下方位置处;
S20,机械手退出反应腔室,托片机构由预设位置下降至承载位处,将晶片放置于该承载位上;
S30,托片机构上升至预设位置;
S40,重复步骤S10-S30,直至承载装置上的多个承载位上均放置有晶片;
S50,对放置于多个承载位上的晶片进行工艺处理;
S60,承载装置旋转,使承载位到达托片机构竖直下方位置处;
S70,托片机构由预设位置下降至承载位处,将放置于承载位上的晶片抓取,并上升至预设位置;
S80,机械手进入反应腔室,将放置于托片机构上的晶片转移至机械手上;同时,重复步骤S60,将下一个承载位旋转至托片机构竖直下方;
S90,机械手退出反应腔室;
S100,重复步骤S70-S90,直至承载装置的每个承载位上放置的晶片被传输至反应腔室外部。
8.根据权利要求7所述的晶片传输方法,其特征在于,在步骤S10中,机械手到达处于伸张状态的伸缩部上方,通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动,使其低于所述伸缩部,将放置于其上的晶片转移至托片机构的多个伸缩部上。
9.根据权利要求7所述的晶片传输方法,其特征在于,在步骤S20中,托片机构下降至承载位处,通过伸缩部由伸张状态变为伸缩状态,将多个伸缩部上的晶片放置于该承载位上。
10.根据权利要求7所述的晶片传输方法,其特征在于,在步骤S70中,托片机构由预设位置下降至承载位处,通过伸缩部由收缩状态变为伸张状态,将放置于该承载位上的晶片抓取。
11.根据权利要求7所述的晶片传输方法,其特征在于,在步骤S80中,机械手到达处于伸张状态的伸缩部竖直下方,通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动,使其高出托片机构的伸缩部,将放置于伸缩部上的晶片转移至机械手上。
12.一种等离子体加工设备,包括反应腔室,用于对晶片进行工艺处理,其特征在于,所述反应腔室采用权利要求1-6任意一项所述的反应腔室。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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