[发明专利]一种高变压比的直流‑直流变换器

权利要求书

1.一种高变压比的直流-直流变换器，包括两路直流-直流变换器本体，其特征在于，所述两路直流-直流变换器本体的输入并联、输出串联；

其中，所述两路直流-直流变换器本体均为升降压直流-直流变换器，具体的：

一路所述升降压直流-直流变换器包括：串接在直流源两端的第一电感和第一功率开关管，以及并联在所述第一功率开关管两端的第一串联支路，所述第一串联支路包括相串联的第二功率开关管、第一电容和第二电容；

另一路所述升降压直流-直流变换器包括：串接在所述直流源两端的第二电感和第三功率开关管，以及并联在所述第三功率开关管两端的第二串联支路，所述第二串联支路包括相串联的第四功率开关管、所述第二电容和第三电容；

或者，所述两路直流-直流变换器本体均为升压直流-直流变换器，具体的：

一路所述升压直流-直流变换器包括：串接在直流源两端的第一电感和第一功率开关管，以及并联在所述第一功率开关管两端的第一串联支路，所述第一串联支路包括相串联的第一二极管、第一电容和第二电容；

另一路所述升压直流-直流变换器包括：串接在所述直流源两端的第二电感和第二功率开关管，以及并联在所述第二功率开关管两端的第二串联支路，所述第二串联支路包括相串联的第二二极管、所述第二电容和第三电容。

2.根据权利要求1所述的高变压比的直流-直流变换器，其特征在于，当所述两路直流-直流变换器本体均为升降压直流-直流变换器时，所述第一功率开关管、所述第二功率开关管、所述第三功率开关管和所述第四功率开关管均为MOS或均为IGBT。

3.根据权利要求1所述的高变压比的直流-直流变换器，其特征在于，当所述两路直流-直流变换器本体均为升压直流-直流变换器时，所述第一功率开关管和所述第二功率开关管均为MOS或均为IGBT。