[发明专利]半导体结构的形成方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管，所述二极管区至少具有一个第一鳍部，所述晶体管区至少具有一个第二鳍部；

在所述二极管区、所述晶体管区、第一鳍部和第二鳍部内形成第一阱区；

在所述第一阱区上形成第二阱区，所述第一阱区类型与第二阱区类型不同；

在所述二极管区的半导体衬底上形成至少一个第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨至少一个所述第一鳍部，并覆盖所述第一鳍部的侧壁与顶部；

在所述晶体管区的半导体衬底上形成至少一个第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨至少一个所述第二鳍部，并覆盖所述第二鳍部的侧壁与顶部；

以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一halo离子注入和第一LDD离子注入，或者进行第一halo离子注入和第一源漏离子注入，或者进行第一halo离子注入、第一LDD离子注入和第一源漏离子注入；

以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极结构两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入，形成所述晶体管的源极和漏极。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构与第二栅极结构在同一步骤中形成。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入的步骤之前，还包括，以所述第二栅极结构为掩膜，对第二栅极两侧的第二鳍部进行第二LDD离子注入和第二halo离子注入中的至少一个。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二LDD离子注入与第一LDD离子注入同时进行，所述第二LDD离子注入与所述第一LDD离子注入的注入剂量、注入能量相同。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二halo离子注入与所述第一halo离子注入同时进行，所述第二halo离子注入与所述第一halo离子注入的注入剂量、注入能量相同。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构的特征尺寸为10～200nm，所述第一栅极结构的顶面面积与所述半导体衬底的顶面面积比为10％～60％。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部与第二鳍部在长度方向平行排列、所述第一鳍部与第二鳍部连接或者所述第一鳍部与第二鳍部一体成型。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一halo离子注入、第一LDD离子注入和第一源漏离子注入时，具体包括：

以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一halo离子注入和第一LDD离子注入；

对第一halo离子注入和第一LDD离子注入之后，在所述第一栅极结构周围形成第一侧墙；

以所述第一栅极结构和第一侧墙为掩膜，对所述第一侧墙两侧的第一鳍部进行第一源漏离子注入。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极结构两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入包括：

在所述第二栅极结构周围形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，对所述第二侧墙两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入。