[发明专利]无结场效应管及其制作方法

权利要求书

1.一种无结场效应管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一区域以及第二区域；

对所述第一区域的衬底进行第一掺杂以形成第一掺杂区，对所述第二区域的衬底进行第二掺杂以形成第二掺杂区，所述第一掺杂与所述第二掺杂的掺杂类型不同；

在衬底上形成第一栅极结构以及第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第一掺杂区的位置相对应，且所述第二栅极结构与所述第二掺杂区的位置相对应；

去除位于所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的部分衬底以形成第一开口，并分别去除第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的部分衬底以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的部分衬底以形成第二开口；

在所述第一开口以及第二开口中形成金属层；

对所述金属层以及衬底进行退火处理，使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共源区，并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的漏区；或者，

对所述金属层以及衬底进行退火处理，使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共漏区，并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的源区。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一开口以及第二开口中形成金属层的步骤包括：形成铝、钨、铜、镍、银、金、钛、氮化钛或碳化钽材料的金属层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，提供衬底的步骤包括：提供硅衬底；

进行退火处理的步骤包括：形成金属硅化物的共源区以及漏区；或者，形成金属硅化物的共漏区以及源区。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，进行退火处理的步骤包括：形成全硅化物的共源区以及漏区，或者，形成全硅化物的共漏区以及源区。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，提供衬底的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上形成埋氧层；

在所述埋氧层上形成半导体层；

去除部分所述半导体层，以形成鳍；

形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括：在所述鳍中分别形成所述第一掺杂区以及第二掺杂区；

形成第一栅极结构以及第二栅极结构的步骤包括：形成横跨所述鳍的第一掺杂区的第一栅极结构，并使第一栅极结构覆盖所述鳍的侧壁与顶部；形成横跨所述鳍的第二掺杂区的第二栅极结构，并使第二栅极结构覆盖所述鳍的侧壁与顶部；

形成第一开口以及第二开口的步骤包括：去除位于所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的鳍以形成第一开口，并分别去除第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的鳍以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的鳍以形成第二开口，所述第一开口以及第二开口露出所述埋氧层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于:

提供基底的步骤包括：提供硅基底；

形成埋氧层的步骤包括：形成氧化硅埋氧层。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成半导体层的步骤包括：形成硅或者锗材料的半导体层。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除部分半导体层以形成鳍的步骤包括：使形成的鳍的厚度在10～100纳米的范围内。

9.如权利要求5或8所述的制作方法，其特征在于，在所述埋氧层上形成鳍的步骤包括：形成截面为三角形、矩形或者圆形的鳍。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括：使第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂浓度从衬底表面到衬底中心逐渐减小。

11.如权利要求1或10所述的制作方法，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括：形成砷掺杂的第一掺杂区以及硼掺杂的第二掺杂区。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括：

使砷的掺杂能量在5～40千电子伏的范围内，且掺杂剂量在1×10¹⁶～5×10¹⁶每平方厘米的范围内；

使硼的掺杂能量在1～10千电子伏的范围内，且掺杂剂量在1×10¹⁶～5×10¹⁶每平方厘米的范围内。