[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410310748.1 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105226009B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管，在所述半导体衬底上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成阻挡层；
刻蚀所述阻挡层和所述第一介质层，在所述第一介质层内形成第一开孔；
向所述第一开孔内填充第一金属，形成第一插塞；
在所述第一插塞上形成保护层；
在所述保护层上形成第二介质层后，刻蚀所述第二介质层，形成第二开孔，所述第二开孔露出所述第一插塞顶部的所述保护层；
沿着所述第二开孔，去除所述第一插塞顶部的所述保护层，露出所述第一插塞；
在形成所述第二开孔并露出所述第一插塞后，在所述第二介质层上形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第二开孔；
在所述牺牲层上形成掩模，并以所述掩模为掩模继续刻蚀所述牺牲层、第二介质层、保护层和阻挡层，在所述第二介质层内形成第三开孔，所述第三开孔露出所述晶体管的栅极；
所述掩模为光刻胶掩模，所述牺牲层为有机抗反射层；
在形成所述第三开孔后，去除所述掩模和所述牺牲层，露出所述第二开孔；
在所述第二介质层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满所述第二开孔和第三开孔，以在所述第二开孔内形成与所述第一插塞电连接的第二插塞，在所述第三开孔内形成与所述栅极电连接的第三插塞。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅、氮氧化硅或掺碳的氮化硅。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成保护层的方法为化学气相沉积法或原子层沉积法。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一插塞顶部的所述保护层的方法为离子轰击法。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子轰击法采用的离子包括氩离子。
7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子轰击法的工艺包括：通入流量为50～200sccm氦气，控制功率为100～200W，将氦气离子化为氦离子，以轰击所述保护层。
8.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子轰击法采用的离子为氩离子和氦离子的混合体。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述第一开孔内填充第一金属，形成第一插塞的步骤包括：
在所述第一介质层上形成第一金属层，所述第一金属层填充满所述第一开孔，且覆盖所述第一介质层；
采用平坦化工艺去除第一介质层上的第一金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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