[发明专利]基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器及方法有效

专利信息
申请号: 201410311763.8 申请日: 2014-07-02
公开(公告)号: CN104124921B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 钱雨霁;韩雁;孙俊 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 林松海
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 电流 比较 压低 功耗 cmos 张弛 振荡器 方法
【权利要求书】:

1.一种基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器,其特征在于,包括:

电流基准源,用于产生偏置参考电流;

启动电路,产生启动信号,用于上电后启动所述的电流基准源;

电流模比较器,具有电容C1和C2,用于电容充放电和充电电压上限的设置;

电流源负载RS触发器,反复复位与置位,所述电容C1和C2根据RS触发器的状态交替充电和放电,实现一定频率振荡方波信号的输出。

2.如权利要求1所述的基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器,其特征在于,所述的电流基准源为输出电流随温度成正比的CMOS亚阈值基准源。

3.如权利要求1所述的基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器,其特征在于,所述的电流模比较器包括第一比较器、第二比较器、电阻RC、所述电容C1和C2,以及用于对所述电容放电的NMOS管M19和M20

所述的第一比较器由PMOS管M7、M8,NMOS管M9、M10构成;

所述的第二比较器由PMOS管M11、所述PMOS管M7,NMOS管M12、所述的NMOS管M9构成;

第一比较器和第二比较器的反相输入端共享,且为M9的源端,M9栅漏短接,并连接到PMOS管M7的漏端,第一比较器和第二比较器的正相输入端分别是M10和M12的源端,M10和M12的栅端均连接到M9的栅端,M10和M12的漏端分别连接到M8和M11的漏端,M7、M8和M11的栅端短接在一起,并连接到所述电流基准源的偏置,电容C1和C2分别接第一比较器和第二比较器的正相输入端,电阻RC的一端接两个比较器共享的反相输入端,电容C1、C2和电阻RC的另一端接地,用于电容C1和C2放电的NMOS管M19和M20的漏端分别连接到第一比较器和第二比较器的输入端,M19和M20的源端均接地,栅端受所述RS触发器控制。

4.如权利要求1所述的基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器,其特征在于,所述的电流源负载RS触发器为交叉耦合的或非门以及两个电流源负载反相器构成;所述或非门为NMOS下拉网络和电流源负载构成有比逻辑门。

5.如权利要求3所述的基于电流模比较器的低压低功耗CMOS张弛振荡器,其特征在于,所述电阻RC由正温度系数电阻RP和负温度系数电阻RN串联构成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410311763.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top