[发明专利]磁记录介质和磁存储装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，具有：

基板；

磁性层，包含具有L1₀结构的合金；及

多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，

其中，

所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。

2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：

所述软磁性底层在由具有以Co为主成分的密排六方结构的合金所构成的情况下，含有从Fe、Ni、Cr、Mn、V、Ru、Re、Pt、Pd所组成的元素群中所选择的至少一种元素。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：

所述多个底层包含由以Cr金属或Cr为主成分并具有BCC结构的合金所构成的底层，

所述软磁性底层形成在由以所述Cr金属或Cr为主成分并具有BCC结构的合金所构成的底层之上。

4.如权利要求3所述的磁记录介质，其中：

以所述Cr为主成分并具有BCC结构的合金含有从Mn、V、Ti、Mo、W、Nb、Ru所组成的元素群中所选择的至少一种元素。

5.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：

所述多个底层包含由具有B2结构的NiAl合金或RuAl合金所构成的底层，

所述软磁性底层形成在由具有所述B2结构的NiAl合金或RuAl合金所构成的底层之上。

6.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：

所述磁性层包含具有L1₀结构的FePt合金或具有L1₀结构的CoPt合金，并且，含有从SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO、ZnO、C、B、B₂O₃、BN中所选择的至少一种物质。

7.一种磁存储装置，具有权利要求1至6的任1项所述的磁记录介质。