[发明专利]二氧化碳电化学还原电极及其制备和应用在审
申请号: | 201410312322.X | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN105316701A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 邱艳玲;张华民;钟和香;毛景霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C25B11/02 | 分类号: | C25B11/02;C25D9/08;C25B3/04 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二氧化碳 电化学 还原 电极 及其 制备 应用 | ||
1.二氧化碳电化学还原电极,其特征在于:
电极以固体Cu材料为基底,于基底外表面沉积卤化亚铜构成电极,基底外表面上卤化亚铜的厚度为0.1μm~5μm。
2.按照权利要求1所述的电极,其特征在于:固体Cu材料包括Cu箔、Cu片、Cu网、泡沫Cu中的一种材料;卤化亚铜的厚度为0.5μm~2μm。
3.一种权利要求1或2所述电极的制备方法,其特征在于:
所述的卤化亚铜由电化学沉积方法制备获得,其沉积原料为卤化物的水溶液;
沉积的具体步骤为:
1)将卤化物配制成浓度为0.02~1.0M的水溶液,作为沉积溶液;
2)将基底浸没于卤化物的水溶液中,以基底作为工作电极,以石墨电极或铂电极作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极,室温条件下,于恒定电流密度条件下向Cu电极表面进行电化学沉积,得到表面沉积卤化亚铜的铜电极,即为二氧化碳电化学还原的电极。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述的卤化物为卤族元素与第一主族元素形成的化合物中的一种,其中卤族元素为Cl、Br或I,第一主族元素Li、Na、K、Rb、Cs中的一种。
5.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述的卤化物水溶液的最佳浓度范围为0.05~0.5M。
6.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述的沉积卤化亚铜的电流密度为-5~-50mAcm-2,最佳反应电流密度为-10~-30mAcm-2。
7.如权利要求3或6所述的制备方法,其特征在于:所述的电化学沉积反应时间为1~20min,最佳沉积时间为3~15min。
8.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于:基底在电沉积前需要经过除油、去除杂质的预处理过程;
预处理具体步骤包括:
(1)将基底浸泡于二氯甲烷或丙酮中,超声除油10~30min;
(2)将基底转移至无水乙醇中,超声除油10~30min;
(3)取出基底,用惰性气体吹干;
(4)将基底浸泡于浓盐酸中10~30min,超声处理5~10min;
(5)去离子水冲洗基底至冲洗液至中性;
(6)无水乙醇清洗基底后,浸泡5~10min后,用惰性气体吹干。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于:所述浓盐酸是浓度不低于35wt%的盐酸水溶液。
10.一种权利要求1或2所述电极的应用,其特征在于:所述电极可作为二氧化碳电化学还原制碳氢化合物反应的阴极。
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