[发明专利]移位寄存器有效
申请号: | 201410313275.0 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN104036751B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 林炜力;张竣桓;侯淑方 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,田景宜 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 | ||
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
多数个移位寄存单元,该些移位寄存单元相互串接,其中,第N级的移位寄存单元包括:
多数个下拉电路,各该下拉电路耦接一驱动端及该第N级移位寄存单元的一输出端,并依据一下拉控制信号用以拉低该驱动端上的一驱动信号及该输出端上的一输出信号的电压准位;
一电容,耦接在该驱动端及该输出端之间;以及
一输出驱动电路,耦接该驱动端及该输出端,依据该驱动信号以产生该输出信号,
其中,各该下拉电路包括:
一第一开关,具有一控制端、一第一端以及一第二端,其第一端耦接该驱动端,其控制端用以接收该下拉控制信号;以及
一电压调整电路,耦接于该第一开关的该第二端,用以调整该第一开关的该第二端的电压准位;
其中,N为正整数。
2.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,该电压调整电路用以在该驱动信号或该输出信号的电压值大于一临界电压时产生一电压并提供该电压至该第一开关的该第二端。
3.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,该电压调整电路包括:
一晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该晶体管的第一端与该晶体管的控制端共同耦接至该输出端,该晶体管的该第二端耦接至该第一开关的该第二端。
4.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,该电压调整电路包括:
一晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该晶体管的第一端耦接至该输出端,该晶体管的该控制端耦接至该驱动端,该晶体管的该第二端耦接至该第一开关的该第二端。
5.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包含一上拉电路,耦接该驱动端,用以依据一第N-2级的输出信号控制该级移位寄存单元的驱动信号,其中该上拉电路包括:
一起始信号产生电路,耦接该驱动端并接收一时序信号,该起始信号产生电路依据该驱动信号以提供该时序信号来产生一起始信号;以及
一上拉开关,耦接在该N-2级移位寄存器的输出端以及该级移位寄存单元的一驱动端之间,该上拉开关依据该N-2级移位寄存器的起始信号以导通或断开,并藉以控制该级移位寄存单元的驱动信号的电压准位。
6.如权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,该起始信号产生电路包括:
一第一晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该第一晶体管的第一端用以接收该时序信号,该第一晶体管的该第二端用以产生该起始信号,该第一晶体管的控制端耦接该驱动端。
7.如权利要求6所述的移位寄存器,其特征在于,该上拉开关包括:
一第二晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该第二晶体管的第一端耦接至该N-2级移位寄存器的输出端,该第二晶体管的该控制端接收该N-2级移位寄存器的起始信号,该第二晶体管的该第二端耦接该级移位寄存单元的驱动端。
8.如权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,该电压调整电路包括:
一晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该晶体管的第一端与该晶体管的控制端共同接收该起始信号,该晶体管的该第二端耦接至该第一开关的该第二端。
9.如权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,该电压调整电路包括:
一晶体管,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该晶体管的第一端接收该起始信号,该晶体管的该控制端耦接至该驱动端,该晶体管的该第二端耦接至该第一开关的该第二端。
10.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,各该下拉电路还包括:
一第二开关,具有一第一端、一第二端以及一控制端,该第二开关的第一端耦接至该第一开关的该第二端,该第二开关的该第二端接收一低频信号,且该第二开关的该控制端用以接收一第N+2级时序信号;以及
一第三开关,串接在该输出端以及该第二开关的第二端间,该第三开关的一控制端用以接收该下拉控制信号。
11.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,各该移位寄存单元还包括:
多数个下拉控制信号产生电路,分别耦接至该些下拉电路之一,各该些下拉控制信号产生电路依据一第一低频信号或一第二低频信号来分别产生该些下拉控制信号。
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