[发明专利]一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法有效
申请号: | 201410313880.8 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN104112707B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 胡安民;李明;胡丰田;王浩哲 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微针 键合 焊盘 超声键合 匹配 产品可靠性 超声振动 工艺过程 键合压力 键合元件 键合装置 压头表面 元件吸附 电互连 互连键 热损伤 助焊剂 互连 加热 对准 施加 | ||
1.一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,包括步骤如下:
1)选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件,两两形成一待键合偶;
2)在待键合偶的其中一侧的电互连焊盘上形成镍微针锥,所述镍微针锥的形成通过电沉积法实现,通过控制添加剂浓度、时间、电沉积温度、电流密度等参数,控制所述镍微针锥的高度在500纳米至2000纳米之间,所述镍微针锥的锥底直径在200纳米至1000纳米之间;
3)在待键合偶的另一侧的电互连焊盘上形成铜微针锥,所述铜微针锥的形成通过电沉积法实现,通过控制添加剂浓度、时间、电沉积温度、电流密度等参数,控制所述所述铜微针锥的高度在200纳米至2000纳米之间,所述铜微针锥的锥底直径在100纳米至1000纳米之间;
4)将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面;
5)将待键合元件的电互连焊盘对准,使所述镍微针锥与所述铜微针锥匹配接触,向所述待键合偶的一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间,使得所述镍微针锥与所述铜微针锥互连键合;
6)同一焊盘的所述镍微针锥或者所述铜微针锥的针锥高度基本一致。
2.根据权利要求1所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,形成所述镍微针锥和所述铜微针锥后,在所述镍微针锥和所述铜微针锥表面制备防氧化层。
3.根据权利要求2所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,所述防氧化层为高温下抗氧化的Au、Pt、Ag、Pd、Sn等金属单质或合金,厚度为数纳米至数十纳米,不改变所述镍微针锥和所述铜微针锥的形貌结构。
4.根据权利要求3所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,所述压头为中空结构,通过真空负压方式吸附所述待键合元件,键合过程结束后压头复位并脱离元件。
5.根据权利要求4所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,所述超声振动由超声波发生器产生,通过机械装置传导至所述压头及所述待键合元件。
6.根据权利要求5所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,键合过程在压力及超声振动下保持数百至数千微秒,保持时间由金属种类、键合压力、超声功率及频率要求的最优化结果决定。
7.根据权利要求1至6任一项所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,键合过程在室温下进行,操作温度为15摄氏度至40摄氏度。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,其特征在于,键合压力为0.1-30MPa,键合时间为0.04-5s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造