[发明专利]用于模数转换器的内建自测试

权利要求书

1.一种具有内建自测试电路的半导体芯片，包括：

第一模数转换器ADC，被配置为将在其输入处所接收到的模拟输入电压信号转换为表征所述第一模数转换器ADC的数字输出电压信号；以及

第二模数转换器ADC，耦接到所述第一模数转换器ADC的输入，并且被配置为将在其输入处所接收到的所述模拟输入电压信号转换为数字反馈电压信号，

其中，基于数字反馈电压信号来生成所述模拟输入电压信号，

所述半导体芯片还包括：

比较器，耦接到所述第二模数转换器ADC，并且被配置为：对来自所述第二模数转换器ADC的在其第一输入处所接收到的所述数字反馈电压信号与在其第二输入处所接收到的数字输入电压信号进行比较，并且输出比较信号，

其中，基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第二模数转换器ADC是单比特ΣΔ模数转换器ADC。

3.如权利要求2所述的半导体芯片，还包括：

抽取器，耦接在所述第二模数转换器ADC与所述比较器的第一输入之间，并且被配置为生成抽取数字反馈电压信号。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

推挽电流源，耦接在所述比较器的输出与所述第一模数转换器ADC和所述第二模数转换器ADC中的每一个的输入之间，并且被配置为基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

计数器，被配置为生成电压斜坡作为所述数字输入电压信号。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

寄存器，被配置为：提供正弦波信号作为所述数字输入电压信号。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

数字输出板，以推挽配置耦接在所述比较器的输出与所述第一模数转换器ADC和所述第二模数转换器ADC中的每一个的输入之间，并且被配置为：基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第一模数转换器ADC是逐次逼近寄存器SAR模数转换器ADC。

9.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第二模数转换器ADC是ΣΔ模数转换器ADC。

10.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第一模数转换器ADC和所述第二模数转换器ADC位于微控制器内。

11.一种在半导体芯片中执行内建自测试BIST的方法，所述方法包括：

把在位于所述半导体芯片上的第一模数转换器ADC的输入处所接收到的模拟输入电压信号转换为表征所述第一模数转换器ADC的数字输出电压信号；以及

把在耦接到所述第一模数转换器ADC的输入并且位于所述半导体芯片上的第二模数转换器ADC的输入处所接收到的所述模拟输入电压信号转换为数字反馈电压信号，

其中，基于数字反馈电压信号来生成所述模拟输入电压信号，

所述方法还包括：

对在比较器的第一输入处从所述第二模数转换器ADC接收到的所述数字反馈电压信号与在所述比较器的第二输入处所接收到的数字输入电压信号进行比较，并且输出比较信号，

其中，基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

通过抽取器生成从所述的第二模数转换器ADC接收到的所述数字反馈电压信号的抽取数字反馈电压信号，以输入到所述比较器的所述第一输入。

13.如权利要求11所述的方法，还包括：

通过耦接在所述比较器的输出与所述第一模数转换器ADC和所述第二模数转换器ADC中的每一个的输入之间的推挽电流源，基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。

14.如权利要求11所述的方法，还包括：

生成电压斜坡作为所述数字输入电压信号。

15.如权利要求11所述的方法，被执行于所述半导体芯片的生产期间。

16.如权利要求11所述的方法，被执行于封装所述半导体芯片之后。

17.如权利要求11所述的方法，被执行于微控制器内。

18.一种具有内建自测试电路的半导体芯片，包括：

第一模数转换装置，用于将模拟输入电压信号转换为表征所述第一模数转换装置的数字输出电压信号；以及

第二模数转换装置，用于将所述模拟输入电压信号转换为数字反馈电压信号，

其中，基于数字反馈电压信号来生成所述模拟输入电压信号，

所述半导体芯片还包括：

比较器，耦接到所述第二模数转换装置，并且被配置为：对来自所述第二模数转换装置的在其第一输入处所接收到的所述数字反馈电压信号与在其第二输入处所接收到的数字输入电压信号进行比较，并且输出比较信号，

其中，基于所述比较信号来生成所述模拟输入电压信号。