[发明专利]检测硅晶体缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测硅晶体缺陷的方法，用于去除晶圆上的材料层并对晶圆硅基片的硅晶体缺陷进行刻划和分析，所述材料层包括覆盖硅基片的多晶硅层及多晶硅层上的多种膜层，该方法包括：

提供测试样品；

将所述测试样品浸入第一溶液去除所述多晶硅层之上的各层；

将所述测试样品浸入第二溶液去除所述多晶硅层，使得硅基片全裸；

将所述测试样品浸入第三溶液刻划硅晶体缺陷；

用光学显微镜检查所述测试样品上的硅晶体缺陷，并拍摄光学显微镜照片。

2.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述第一溶液为氢氟酸，浓度为49％。

3.如权利要求2所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述测试样品在第一溶液中浸泡时间为10min～15min。

4.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述第二溶液为硝酸和缓冲氧化物蚀刻液体积比为8:2的混合液，所述硝酸的浓度为69.5％，所述缓冲氧化物蚀刻液为体积比为NH₄F:HF＝7:1的混合液。

5.如权利要求4所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述测试样品在第二溶液中浸泡时间为3s～10s。

6.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述第三溶液的配方为：

60毫升浓度为49％的氢氟酸；

30毫升浓度为69.5％的硝酸；

30毫升浓度为5mol/L的三氧化铬溶液；

2克含结晶水硝酸铜[Cu(NO₃)₂.3H₂O]；

60毫升浓度为99.7％的醋酸；

60毫升去离子水。

7.如权利要求6所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述测试样品在第三溶液中浸泡时间为3min～5min。

8.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，还包括：用扫描电子显微镜测量硅晶体缺陷的形状和大小，以判断硅晶体缺陷的导因。

9.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，在浸入第一溶液、第二溶液及第三溶液完成后，皆利用去离子水清洗测试样品，然后用压缩空气枪吹干。

10.如权利要求1所述的检测硅晶体缺陷的方法，其特征在于，所述测试样品为硅基片晶圆或切割后的硅基片晶圆。