[发明专利]声音产生装置以及包括该声音产生装置的电子设备有效

专利信息
申请号: 201410314483.2 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104284281B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 李炅泰;金钟培;朴东奎;赵钟引;李承灿;玄尚旻 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 鲁恭诚;韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 声音 产生 装置 以及 包括 电子设备
【说明书】:

本发明提供一种声音产生装置以及包括该声音产生装置的电子设备。所述声音产生装置用于扩展狭缝发射型扬声器系统的中频。所述声音产生装置包括:振动器;主体部分,包围振动器;路径,通过所述路径传送产生的声音;狭缝,沿主体部分的长度方向形成,所述主体部分连接到所述路径的端部,并且所述狭缝被构造为发出所述声音。

本申请要求于2013年7月3日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0077905号韩国专利申请的优先权,该申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

与示例性实施例一致的设备和方法涉及一种扬声器、滤声器以及使用该扬声器和滤声器的电子设备,更具体地讲,涉及一种具有狭缝发射结构的声音产生装置和使用该声音产生装置的电子设备。

背景技术

近年来,随着电子设备变得纤薄,声音装置需要一种适合在纤薄结构中使用的结构。例如,为了将声音装置安装在纤薄的电子设备中,需要制造各种声音装置,例如:下发射型(down-firing type)声音装置、后发射型(back-firing type)声音装置和狭缝发射型(slit-firing type)声音装置,而不管辐射方向如何。下发射型声音装置是这样的类型:扬声器安装在电子设备的底部,声音向下发出,并通过地板反射朝向电子设备的前侧传递,数字电视(TV)的前置扬声器就是下发射型声音装置的示例。后发射型声音装置是这样的类型:扬声器安装在电子设备的后部,声音向后发出,并利用折射朝向电子设备的前侧传递,数字TV的低音扬声器就是后发射型声音装置的示例。狭缝发射型声音装置是利用惠更斯衍射原理(Huygens diffraction principle)通过设置在扬声器箱中的狭缝发出声音的类型。

狭缝发射方法可以使现有的扬声器的定向波束图案的主波束宽度最大化,以确保声音根据现有的扬声器的高频波束形成的位置被不均匀地传递。另外,通过狭缝间隙的最小化使由狭缝内部的直达声音和反射声音之间的干涉导致的脉冲响应的声音衰减特性降低最小化,狭缝发射型声音装置可以实现具有比现有的下发射型声音装置或现有的后发射型声音装置更高的清晰度的扬声器系统。数字TV的两音路前置扬声器就是狭缝发射型的示例。

然而,由于很多情况下狭缝发射型扬声器未经声学分析而被应用到电子设备,因此出现音质劣化。

在狭缝发射方法中,将在扬声器振膜与前反射板之间的空间和声音发射部的几何空间用作滤声器,诸如亥姆霍兹共振器(Helmholtz resonator),亥姆霍兹共振器起到一种低通滤波器的作用,引起扬声器中的高频带的再生性能的降低。

图1是示出狭缝发射型扬声器的频带的声音信号强度的曲线图。

如图1中所示,在狭缝发射型扬声器中,因为将在扬声器振膜与前反射板之间的空间和声音发射部的几何空间作为亥姆霍兹共振器,所以在中频之后产生截止频带。

为了进行补偿,狭缝发射型扬声器被实现为双音路扬声器(即,中频扬声器和高频扬声器)。

图2是示出用于解决截止频率降低的双音路扬声器的频带的视图。

如图2中所示,双音路扬声器系统用于表现仅由中频扬声器表现的高频带。为了表现高频带,使用了高频扬声器。

将高频扬声器当作直接发射型扬声器或狭缝发射型扬声器来应用。当高频扬声器嵌入如同中频扬声器那样的狭缝发射型扬声器时,在高频扬声器的圆顶周围设置有用于吸声的特定的缓冲区域,以使由于在狭缝内部的反射声音引起的高频带的干涉效应最小化。用于吸声的缓冲区域的尺寸被确定为与高频扬声器的交叉频带相对应的声波的波长的1/4。

然而,因为中频扬声器中的高频带的截止频率由中频扬声器的狭缝发射结构决定,所以狭缝发射结构对高频扬声器的交叉频带具有很大的影响。因此,当未经声学分析而设计中频扬声器的狭缝发射结构时,中频扬声器的再生频带变窄,因此,高频扬声器必须再生低于共振点(fo)的频率,以再生交叉频带。因此,需要一种用于扩展狭缝发射型扬声器系统的中频的基本方法。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410314483.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top