[发明专利]固态成像设备、其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410314531.8 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN104282705B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 大地朋和 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像设备,包括:
半导体基板,包括第一导体类型的半导体区域,其中,该第一导体类型的半导体区域包括第一表面和第二表面,所述第一表面具有包括第一凸部分和第二凸部分的凸部分;
第二导体类型的电荷转移部,该电荷转移部位于第一导体类型的半导体区域的第一表面与第二表面之间,其中,
该电荷转移部构造为转移光电转换部所产生的电荷,并且
该电荷转移部的第一端部形成在半导体基板的表面的第一凸部分之下,并且该电荷转移部的第二端部形成在半导体基板的表面的第二凸部分之下。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
该电荷转移部是构造为在垂直方向转移电荷的垂直电荷耦合装置。
3.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
该电荷转移部为读出部,该读出部构造为读出该光电转换部的电荷。
4.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
该电荷转移部为电荷累积部,该电荷累积部构造为暂时保留该光电转换部中产生的电荷直到该电荷被读出。
5.一种固态成像设备的制造方法,包括:
通过硅的局部氧化方法形成半导体基板的表面,该表面包括两个凸部分;以及
对抗蚀剂掩模进行图案化,使得从一个凸部分的顶部到另一凸部分的顶部的区域被打开,然后进行离子注入,使得该抗蚀剂掩模的边界对应凸部分的顶部,从而在该半导体基板中形成电荷转移部,所述电荷转移部构造为转移光电转换部所产生的电荷。
6.根据权利要求5所述的固态成像设备的制造方法,还包括:
在该电荷转移部形成之后,使该半导体基板的该凸部分变平。
7.一种电子设备,包括:
构造为接收入射光的至少一个透镜;
固态成像设备,构造为从所述至少一个透镜接收入射光,该固态成像设备包括:
半导体基板,包括第一导体类型的半导体区域,其中,该第一导体类型的半导体区域包括第一表面和第二表面,所述第一表面具有包括第一凸部分和第二凸部分的凸部分;
第二导体类型的电荷转移部,该电荷转移部位于第一导体类型的半导体区域的第一表面与第二表面之间,
其中,
该电荷转移部构造为转移光电转换部所产生的电荷,并且
该电荷转移部的第一端部形成在半导体基板的表面的第一凸部分之下,并且该电荷转移部的第二端部形成在半导体基板的表面的第二凸部分之下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410314531.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的