[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201410314743.6 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104112754A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王刚 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
第一导电类型的半导体衬底、光电二极管、浮置扩散区、转移晶体管、复位晶体管和源跟随晶体管，
其中所述源跟随晶体管包括位于所述半导体衬底表面的第一导电类型多晶半导体栅电极、位于半导体衬底内的第二导电类型源极和位于半导体衬底内的第二导电类型漏极。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括：第二导电类型区域，所述第二导电类型区域位于所述半导体衬底内部并且位于所述第二导电类型源极与第二导电类型漏极之间。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括：第一导电类型区域，所述第一导电类型区域位于所述第二导电类型区域与所述第一导电类型多晶半导体栅电极之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型多晶半导体栅电极的掺杂浓度为：1018/cm3至1021/cm3。
6.一种图像传感器的形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：
提供第一导电类型的半导体衬底；
在所述半导体衬底内部形成源跟随晶体管的第二导电类型源极、第二导电类型漏极；
在所述半导体衬底表面形成源跟随晶体管的第一导电类型多晶半导体栅电极。
7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底内部，所述第二导电类型源极与第二导电类型漏极之间形成第二导电类型区域。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底内部，所述第二导电类型区域上部形成第一导电类型区域。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
10.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电类型多晶半导体栅电极的掺杂浓度为：1018/cm3至1021/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
