[发明专利]高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法有效
| 申请号： | 201410314769.0 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104120489A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 瓦拉塔拉詹·伦加拉詹;伊利娅·茨维巴克;迈克尔·C·诺兰;布赖恩·K·布鲁哈德 | 申请（专利权）人： | II-VI有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 质量 sic 单晶晶锭 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成高晶体质量的SiC单晶晶锭的方法，包括：
(a)设置圆筒形的坩埚，其具有顶部、底部和侧部；
(b)设置以间隔关系位于所述坩埚内部的SiC籽晶和源材料；
(c)设置一个或多个电阻加热器，所述电阻加热器与所述坩埚的顶部、底部和侧部呈间隔关系并关于所述坩埚轴对称地设置在所述坩埚外侧；
(d)在所述电阻加热器上施加电功率，以使所述源材料升华并且将升华的所述源材料传输到所述SiC籽晶，在所述SiC籽晶处，传输的升华的所述源材料凝结并形成具有凸形生长界面的SiC单晶晶锭；以及
(e)生长具有如下特性的晶体质量的所述SiC单晶晶锭：X射线反射的半高宽小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
所生长的所述SiC单晶晶锭具有凸形生长界面；并且
所述凸形生长界面的曲率半径在25cm至35cm之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
所生长的SiC晶体具有凸形生长界面；并且
所述凸形生长界面的曲率半径与所生长的SiC晶体的直径之比在2至4之间。
4.一种具有如下特性的晶体质量的SiC单晶晶锭：X射线反射的半高宽小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。
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