[发明专利]具有渐变缓冲层的背照式光敏器件

权利要求书

1.一种形成背照式光敏器件的方法，所述方法包括： 

在牺牲衬底上形成渐变牺牲缓冲层； 

在所述渐变牺牲缓冲层上形成均匀层； 

在所述均匀层上形成第二渐变缓冲层； 

在所述第二渐变缓冲层上形成硅层； 

在所述硅层上布置器件层；以及 

去除所述渐变牺牲缓冲层和所述牺牲衬底。 

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述均匀层包括硅锗(SiGe)、纯锗(Ge)和其中形成有量子点、量子阱、光栅或者原位掺杂剂的半导体材料中的至少一种。 

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述渐变牺牲缓冲层包括硅和锗，并且所述渐变牺牲缓冲层的锗浓度随着距离所述牺牲衬底更远而增大。 

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二渐变缓冲层包括硅和锗，并且所述第二渐变缓冲层的锗浓度随着距离所述均匀层更近而增大。 

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述渐变牺牲缓冲层的厚度范围是约0.1微米至1.0微米。 

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述均匀层的厚度范围是约0.1微米至2.0微米。 

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅层的厚度范围是约0.01微米至1.0微米。 

8.一种光敏器件，包括： 

均匀层； 

渐变缓冲层，位于所述均匀层上方； 

硅层，位于所述渐变缓冲层上方； 

光敏感光区，位于所述均匀层和所述硅层内； 

器件层，位于所述硅层上；以及 

载具晶圆，接合至所述器件层； 

其中，所述均匀层中的缺陷低于限定的阈值。 

9.一种形成背照式光敏器件的方法，所述方法包括： 

在牺牲衬底上形成渐变牺牲缓冲层，所述渐变牺牲缓冲层中的锗浓度是变化的； 

在所述渐变牺牲缓冲层上形成均匀层，所述均匀层包括邻近于所述渐变牺牲缓冲层的原位掺杂的钝化层； 

在所述均匀层上形成第二渐变缓冲层，所述第二渐变缓冲层中的锗浓度是变化的； 

在所述第二渐变缓冲层上形成硅层； 

在所述硅层上布置器件层； 

在所述均匀层和所述硅层内形成光敏感光区； 

将载具晶圆接合至所述器件层；以及 

去除所述渐变牺牲缓冲层和所述牺牲衬底。