[发明专利]一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法

权利要求书

1.一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法，其特征在于它的低压变温扩散方法为：清洁硅片-抽真空-升温-通源-降温-出片；其中扩散气体压强保持在0.001～0.8大气压，扩散温度范围为600-950度，使用硅片为p型硅片、n型硅片。

2.一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法，其特征在于它的具体操作步骤为：(1)将硅片清洗干净，把清洗甩干后的硅片放置于扩散炉中；(2)先抽真空至0.001～0.8大气压，开始通气体，保持腔内气压不变；(3)启动加热装置，设定升温速度10度/分钟，至500～850度；(4)通磷源，扩散时间15～20分钟，升温至600～950度，保持15～25分钟；(5)在氧气气氛中降温；(6)出片。