[发明专利]二维过渡族金属碳化物纳米片作为放射性核素吸附剂的应用

权利要求书

1.二维过渡族金属碳化物纳米片作为放射性核素吸附剂的应用。

2.如权利要求1所述的二维过渡族金属碳化物纳米片作为放射性核素吸附剂的应用，其特征是：所述的二维过渡族金属碳化物纳米片是Ti₃C₂、Ti₂C、V₂C、Nb₂C、Ta₄C₃、(Ti_x,Nb_1-x)₅C₄、(V_x,Nb_1-x)₄C₃、(Ti_x,Cr_1-x)₄C₃、(V_x,Cr_1-x)₄C₃、(Ti_x,V_1-x)₃C₂、(Ti_x,Cr_1-x)₃C₂、(V_x,Cr_1-x)₃C₂、(Ti_x,V_1-x)₂C、(Ti_x,Cr_1-x)₂C、(Ti_x,Nb_1-x)₂C、(Ti_x,Ta_1-x)₂C、(V_x,Cr_1-x)₂C、(Nb_x,Zr_1-x)₂C、V₂(Ga_1-x)C、Cr₂(Ge_1-x)C、Ti₃(C_x,N_1-x)₂、Ti₂(C_x,N_1-x)中的一种或者几种的组合。

3.如权利要求1所述的二维过渡族金属碳化物纳米片作为放射性核素吸附剂的应用，其特征是：所述的二维过渡族金属碳化物纳米片通过三元层状MAX相陶瓷材料选择性地溶出A位元素而制备。

4.如权利要求3所述的二维过渡族金属碳化物纳米片作为放射性核素吸附剂的应用，其特征是：所述的MAX相陶瓷材料的A位为Al元素。