[发明专利]基板结构

权利要求书

1.一种基板结构，其特征在于，包含：

一基板；

一导电图案，位于该基板上；

一第一层迭结构，位于该导电图案与该基板上，其中该第一层迭结构包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，该第一上薄膜邻接该导电图案与该基板，该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜依序堆栈；以及

一钝化层，位于该第一层迭结构上，该第三上薄膜邻接该钝化层，其中该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜和该钝化层之折射率依序递减；

更包含一第二层迭结构，该第二层迭结构位于该导电图案与该基板之间，其中该第二层迭结构包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜依序堆栈，其中该第一下薄膜邻接该基板，该第三下薄膜邻接该导电图案，该基板、该第一下薄膜、该第二下薄膜、该第三下薄膜和该导电图案之折射率依序递增。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构还包含设置于该第三上薄膜上之一第四上薄膜和一第五上薄膜，该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜、该第四上薄膜、该第五上薄膜和该钝化层之折射率依序递减。

3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一上薄膜、该第二上薄膜以及该第三上薄膜分别包含一第一元素与一第二元素， 该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜分别具有一重量比值，该重量比值为该第一元素的重量比该第二元素的重量，该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜的该重量比值均不相同。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，其中该第一元素为氮，该第二元素为氧。

5.根据权利要求4所述的基板结构，其特征在于，其中该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜之该些重量比值依序递减。

6.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构部份接触该基板。

7.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜包含一第一元素与一第二元素，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜分别具有一重量比值，该重量比值为之该第一元素的重量比该第二元素的重量，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜的该重量比值均不相同。

8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构为一透明绝缘层。

9.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构之厚度范围为30纳米(nm)至150纳米(nm)。

10.一种基板结构之制作方法，其特征在于，包含：

将具有一导电图案之一基板置入一溅镀机台之一反应腔，其中，该导电图案与该基板之间包含一第二层迭结构，其中该第二层迭结构包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，该第一下薄膜、该第 二下薄膜和该第三下薄膜依序堆栈，其中该第一下薄膜邻接该基板，该第三下薄膜邻接该导电图案，该基板、该第一下薄膜、该第二下薄膜、该第三下薄膜和该导电图案之折射率依序递增；

注入一反应气体于该反应腔，该反应气体包含一第一气体或一第二气体，该反应气体具有该第一气体比该第二气体之一气体比例；

使用一靶材进行溅镀，并控制该气体比例或该溅镀机之一溅射功率，以形成一第一层迭结构于该导电图案之上，该第一层迭结构包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，且该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜之折射率由接近该基板的一端向远离该基板的一端依序递减。

11.根据权利要求10所述的基板结构之制作方法，其特征在于，更包含形成一钝化层于该第三上薄膜之上，其中该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜和该钝化层之折射率依序递减。