[发明专利]用于防止漏电流的装置和方法

权利要求书

1.用于防止漏电流的装置，所述装置要连接在第一电气连接(2)和第二电气连接(3)之间，其特征在于，所述装置包括开关(5)，所述开关(5)被配置为至少部分地转移在所述第一电气连接中流动的电流并由所述第一电气连接的电压控制。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开关(5)被配置为当所述第一电气连接的电压超过阈值时闭合。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述开关(5)为金属氧化物半导体场效应MOSFET晶体管，所述晶体管的栅极通过电阻器(6)连接到所述第一电气连接，并且所述晶体管的漏极连接到所述第一连接。

4.根据前述权利要求任一项所述的装置，包括电路(9)，所述电路(9)用于限制在所述开关中流动的电流。

5.根据权利要求3或4所述的装置，其中，用于限制电流的电路(9)包括双极型晶体管(10)和限制电阻器(11)，所述双极型晶体管的集电极连接到所述MOSFET晶体管的栅极，并且所述双极型晶体管的基极为所述限制电阻器和所述MOSFET晶体管的源极共有。

6.根据前述权利要求任一项所述的装置，其中，所述开关(5)被配置为在所述装置的第一控制模式中闭合并至少部分地转移在所述第一电气连接中流动的电流，并且在所述装置的第二控制模式中配置为打开，所述装置还包括在所述第二控制模式中形成所述装置的输入阻抗的电阻器(6)。

7.根据权利要求6所述的装置，包括配置为接收控制信号(13)的输入，所述装置被配置为当所述控制信号的电压为零时，处于所述第一控制模式。

8.根据权利要求7所述的装置，包括光耦合器(14)，所述光耦合器连接到配置为接收控制信号(13)的所述输入，并配置为在所述第一控制模式中断开，以及在所述第二控制模式中导通。

9.根据前述权利要求任一项所述的装置，包括整流电路(7)，所述整流电路配置在所述装置的输入处，并连接到所述第一电气连接(2)和所述第二电气连接(3)。

10.通过根据权利要求6-9任一项所述的装置防止漏电流的方法，其中，负载连接到所述第一电气连接(2)和所述第二电气连接(3)，其特征在于，所述装置被控制使得当所述负载不得运行时所述装置在所述第一控制模式中运行，并且所述装置被控制使得当所述负载必须运行时所述装置在所述第二控制模式中运行。