[发明专利]一种亚波长抗反射结构器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410315591.1 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104049287A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 尚鹏;熊胜明 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 孟卜娟;李新华
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 波长 反射 结构 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种亚波长抗反射结构器件,其特征在于,包括平顶亚波长抗反射结构,所述平顶亚波长抗反射结构包括基底和刻蚀在所述基底之上的平顶表面微结构;所述亚波长抗反射结构器件还包括以倾斜入射沉积方式获得的在所述平顶表面微结构之上的非平顶结构;所述非平顶结构与所述基底材质相同。

2.根据权利要求1所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述非平顶结构的顶部的剖面为锥形、弧形或者半圆形。

3.根据权利要求1所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述基底材料包括石英,玻璃,蓝宝石、或者由硅、锗、硫化锌或硒化锌制成的红外光学窗口。

4.根据权利要求1所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述平顶表面微结构的形状至少包括圆柱、圆台或棱柱的一种或几种混合。

5.根据权利要求1所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述倾斜入射沉积方式中倾斜角度包括在0~60度之间。

6.根据权利要求1所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述非平顶结构的厚度小于或者等于所述平顶表面微结构的高度。

7.根据权利要求1-6任一所述的亚波长抗反射结构器件,其特征在于,所述沉积的方式至少包括电子束蒸发、溅射、热蒸发、原子或电化学沉积。

8.一种如上所述的亚波长抗反射结构器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

清洗平顶亚波长抗反射结构的基底之上的平顶表面微结构的表面,去除杂质污染;

在清洗后的所述平顶表面微结构的表面,以倾斜沉积的方式获得非平顶结构,所述非平顶结构与所述基底材质相同。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述非平顶结构的顶部的剖面为锥形、弧形或者半圆形;和/或

所述倾斜入射的方式中倾斜的角度包括在0~60度之间;和/或

所述非平顶结构的厚度小于或者等于所述平顶表面微结构的高度。

10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述平顶表面微结构的形状至少包括圆柱、圆台或棱柱的一种或几种混合;和/或

所述沉积的方式至少包括电子束蒸发、溅射、热蒸发、原子或电化学沉积。

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